SCM1212A推挽驱动芯片.PDFVIP

SCM1212A推挽驱动芯片 特点 封装  4.5~8V 宽输入电压范围  内置功率MOS对管  MOS驱动高度对称  内置软启动  输出短路保护  过温保护  提供配套的变压器(推荐使用我司TTB05xx-1T 系列)   应用范围 产品可选封装：SOT23-5 丝印详细信息请见 “订购信息”  DC-DC隔离变换器 功能描述 SCM1212A 是一款集成了功率MOS 对管的推挽电源的控制器。该芯片可在4.5V 低输入电压下可正常工作，40V 高输入电压的冲击下也不会损坏。 内部功率MOS 管的驱动对称程度高，从而减小推挽拓扑的偏磁程度。该芯片还集成了三项提高可靠性的关键技术，第一是软启动功能，避免开机时大电 流的冲击而损坏器件，并且保证在CC 负载模式下带满载正常启动；第二是集成了输出短路保护，该保护一致性好，不受电源加工时参数偏差的影响，也 不受高低温测试条件的影响；第三是过温保护，超出规定的温度范围时，芯片自动进入休眠状态，若温度再次降低到设定值时可自动恢复。 典型应用电路 功能曲线 2019.09.16-A/0 第1页 共10页 该版权及产品最终解释权归广州金升阳科技有限公司所有 目录 1 首页 1 3.5 开关特性 4 1.1 特点及封装 1 4 特征曲线 4 1.2 应用范围 1 4.1 典型曲线 4 1.3 功能描述 1 4.2 参数测量信息 5 1.4 典型应用电路及其功能曲线 1 5 特点描述 6 2 引脚封装及描述 2 6 产品工作模式 6 3 IC相关参数 3 7 拓展输出设计 8 3.1 极限额定值 3 8 应用电路 8 3.2 推荐工作参数 3 9 电源使用建议 8 3.3 热阻信息 3 10 订购、封装及包装 9 3.4 电学特性 3 引脚封装 内部框图 引脚描述 名称 I/O 描述 VIN P 芯片电源端口 VD1 O 内置功率LDMOS管的漏级，以准互补的方式 （即两个驱动之间存在较小的死区时间）推挽驱动变压器 绕组。在刚启动或者检测到LDMOS 管的漏级电压大于VTH_OSP 时芯片变为软驱动，即限定LDMOS 管的饱和 VD2 O 电流。若持续检测到LDMOS 管的导通电压大于VTH_OSP，则芯片进入休眠状态，休息时间为TSLEEP，休息结 束后再次重启。 GND I