半导体中载流子与其输运性质.ppt

西安理工大学电子工程系　马剑平 * 1 、载流子的温度与迁移率 将电子迁移率表示成电子温度的函数： 当Te＝Tl，则μ＝μ0；若强电场使 TeTl，则μμ0 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、热载流子效应 强电场使电子平均速度升高，电离杂质对热载流子的散射作用减弱，而晶格振动的散射作用增强。 对发射声学声子的晶格散射，电子温度与晶格温度之比同外加电场的关系为 1）声学波的散射 漂移速度与电场的关系 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2）光学波的散射 电子在单位时间内通过发射光学声子而损失的能量 稳态下，单位时间内电子损失的能量与从电场获取的能量相等 将 ?d 改记为 ?sat，是因为它不随电场变化的饱和特性 将?d=q?E/m*代入上式，即可得 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.3 负微分迁移率 一、砷化镓的能带特征 二、强电场下电子的谷间转移 三、负微分迁移率材料的能带特征 西安理工大学电子工程系　马剑平 * ?EC = 0.29 eV m1* = 0.067 m0 m2* = 0.550 m0 NC2 / NC1 = 94(?) 23.5 μ1 = 6000 ~ 8000 cm2/(V?s) μ2 = 920 cm2 /(V?s) 。 m2* / m1* = 8.2 一、 砷化镓能带的特征 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 二、强电场下电子的谷间转移 ΔE n2 n1 Δk Valley 1 Γ L k 111 0.49eV E Valley 2 vd IE1I IETI IEI IE2I μ1IE1I μ2IE2I 2x105V/cm 3.2x104V/cm n2n1 n1n2 发生负微分迁移率效应的条件 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 三、 负微分迁移率材料的能带特征 (1) 存在导带电子的子能谷； (2) 子能谷与主能谷的能量差小于禁带宽度而远大于kT； (3) 电子在子能谷中的有效质量大于其主能谷中的有效质量，因而子能谷底的有效态密度较高，迁移率较低。 这三个特征（或称条件）对负微分电导现象的发生一个也不能少。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.4 耿氏效应及其应用 一、耿氏效应?一种体效应 二、耿氏效应的物理解释 1、负微分迁移率导致高场畴的形成 2、高场畴的漂移、消失和新畴的产生 三、耿氏器件的参数估算 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 一、耿氏效应(Gunn effect) ?一种体效应 1963年，耿氏发现在n型砷化镓两端电极上加以电压，当半导体内电场超过3x10 3 V/cm时,半导体内的电流便以很高的频率振荡，振荡频率约为0.47~6.5 GHz。这个效应称为耿氏效应。 n-GaAs + - 1964年，Keremerz指出耿氏效应可以用微分负阻理论来解释。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 二、耿氏效应的物理解释 1 微分迁移率导致高场畴的形成 2、高场畴的漂移、消失和新畴的产生 由于某种原因比如掺杂不均匀出现一个高阻区,电场在此区集中,超过阈值时位于微分负电导区，使此区中的部分电子跃迁到高能谷中，平均漂移速度低于区外电子。由于区外电子速度较大，前端电子的快速逸出而区内电子不能及时补充从而形成电子耗尽层;同时后端电子又快速推进，而区内电子漂移缓慢，必然在后端形成电子的积累层。这样就形成了一个空间电荷偶极层，称为偶极畴，简称畴，畴的电场方向与外电场一致，使畴内电场进一步加强，畴外电场也有所降低，因此这种偶极畴又称高场畴。 - V + - - + + 随着漂移的进行,畴内电场的不断加强,畴内电子的漂移速度因负微分迁移率效应随着电场升高而降低,畴的厚度继续增大,畴外电场也不断降低.最终畴内电子的漂移速度饱和,畴外电子的速度也降到与之相同，畴不再增长,畴区内外电子以相同的速度漂移。 V=Edl =Ebd+(l-d)Ea 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 三、耿氏器件的参数估算 设畴外电场强度为Ea，畴内电场为Eb，样品的平均电场强度为Ed，畴厚度为d，薄层厚度为l，外加电压为U，若畴内外电场都是均匀的，则 设vd是畴的漂移速度，则畴在薄层中的渡越时间 设薄层厚度为3?，加1V直流电压，其平均电场3.3×103V/cm已能满足负微分迁移率效应临界电场的要求；取vd＝107cm/s，相应的频率为3.3×1010Hz。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 第二章 半导体中的载流子及其输运性质 2.1 载流子的漂移运动与半导体的电导率 2.2 热平衡状态下的载流子统计 2.3 载流子密度对杂质和温度的依赖性 2.4 载流子迁移率 2.5 载流子散射及其对迁移率的影响 2.6 半