半导体三极管及其基本放大电路.pptxVIP

第8章 半导体三极管及其基本放大电路;8.1 半导体三极管;图8.1 三极管的外型;图 8.2 三极管的结构和符号 (a) NPN型结构; (b) PNP型结构; ;图 8.2 三极管的结构和符号 (c) NPN型符号; (d) PNP型符号; 8.1.2三极管的电流放大作用 三极管最重要的特性是具有电流放大作用。但要使三极管工作在放大状态，必须具备两个条件: 一是必须以正确的连接方式将三极管接入输入输出回路。按公共端的不同，可连接成三种基本组态：共发射极、共基极和共集电极，如图8.3所示。不同的连接方式，其特性存在较??差异。二是必须外加正确的直流偏置电压，即发射结正向偏置、集电结反向偏置。图8.4所示为共发射极电路，图中VCC＞VBB，三个电极的电位关系为UC＞UB＞UE。如果使用PNP型管，应将基极电源和集电极电源的极性反过来，使得UC ＜ UB ＜ UE ，三个电流IB、IC和IE的方向也要反过来。 ; 图 8.3 三极管的三种组态 (a) 共射极; (b) 共基极; (c) 共集极; 按图8.4所示的实验电路，可通过改变RB来改变基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE也随之变化，测试结果如表8.1所示。 ;图 8.4 测试三极管电流放大作用的实验电路;表8.1 三极管电流放大实验测试数据; 分析表8.1的实验测试数据，可得到以下结论： (1) 三极管各电极电流的关系满足 且IB很小，IC≈IE。 (2)IC与IB的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结构决定，定义该比值为共射极电路的直流电流放大倍数，用β表示，即  (8.2) ; 式(8.2)表明，当三极管工作在放大状态时，集电极电流始终是基极电流的β倍。 (3) IC与IB的变化量ΔIC与ΔIB的比值也基本保持不变，定义该比值为共射极电路的交流电流放大倍数，用β表示，即 (8.3)   ; 8.1.3 三极管的伏安特性曲线 1. 输入特性曲线 三极管的输入特性，是指当UCE一定时，IB与UBE之间的关系曲线，即IB=f(UBE)|UCE=常数，如图8.5(a)所示。 ;图 8.5 三极管共射极电路的特性曲线 (a) 输入特性曲线； (b) 输出特性曲线; 从输出特性曲线可以看出，三极管有三个不同的工作区域，放大区、饱和区和截止区，它们分别表示三极管的三种工作状态。三极管工作在不同区域，特点也各不相同。 (1) 放大区：指曲线上IB0和UCE1 V之间的部分，此时发射结正偏、集电结反偏，三极管处于放大状态。其特征是当IB不变时IC也基本不变，即具有恒流特性； 当IB变化时，IC也随之变化，这就是三极管的电流放大作用。 (2) 截止区：指曲线上IB ≤0的区域，此时发射结反偏，三极管为截止状态，IC很小，集电极与发射极间相当于开路，三极管相当于断开的开关。 ; (3) 饱和区：指曲线上UCE≤UBE的区域，此时IC与IB无对应关系，集电极与发射极之间的压降称为饱和电压，用UCES表示。硅管的UCES 约为0.3V，锗管的UCES约为0.1V。三极管相当于闭合的开关。饱和时的集电极电流IC称为临界饱和电流，用ICS表示，大小为 (8.4) ; 8.1.4 三极管的主要参数 三极管的参数很多，其主要参数有以下几个。 1. 电流放大倍数 共射极电流放大倍数为β，共基极电流放大倍数为α。α定义为集电极电流IC的变化量与发射极电流IE的变化量之比，即 ; 2. 极间反向电流 极间反向电流是表征三极管工作稳定性的参数。当环境温度增加时，极间反向电流会增大。 (1) 集电结反向饱和电流ICBO：指发射极开路时，集电极和基极之间的电流。室温下，小功率硅管的ICBO 一般小于1μA，而锗管约为10 μA。  (2) 穿透电流ICEO: 指基极开路时，集电极和发射极之间的电流。因为ICEO =(1+β)· ICBO ，所以ICEO比ICBO大得多，因β、 ICBO和 ICEO会随着温度的升高而变大，故在稳定性要求较高的电路中或环境温度变化较大的时候，应该选用受温度影响小的硅管。 ; 3. 极限参数 极限参数是表征三极管能够安全工作的临界条件，也是选择管子的依据。 (1) 集电极最大允许电流ICM：指当集电极电流IC增大到一定程度，β出现明显下降时的IC值。如果三极管在使用中出现集电极电流大于ICM ，这时管子不一定会损坏，但它的性能将明显下降。 (2) 集电极最大允许功耗PCM：三极管工作时，应使集电极功率损耗