光纤传感技术应用与其应用次课.ppt

Intellisense公司的VlGOR样机 加工工艺的选取 为了防止芯层中的导波光信号泄漏到高折射率的硅衬底中，要求包层厚度在10到15μm之间，由于Si 的热膨胀系数(2.5×10-6/0C) 与SiO2的热膨胀系数(3.5×10-7/0C) 相差很大,在硅片上沉积厚纯SiO2 时很容易产生龟裂。因此,龟裂和析晶等问题是目前硅基片上生长厚SiO2 的主要难点。 SiO2光波导的制作工艺主要有两种：一是与光纤制作技术相类似的火焰水解沉积法(FHD)，二是半导体工艺中的等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）法，由于FHD设备和技术本身的复杂性以及PECVD工艺的成熟性，综合调研结果我们采用了专用PECVD设备制作波导层。 工艺流程: （1)采用热氧化法制备二氧化硅下包层。 （2)用PECVD沉积芯层：在PECVD生长室进行SiO2薄膜Ge掺杂， （3)制作掩模。 （4)光刻。 （5)RIE刻蚀。 (6)用PECVD沉积上包层。 (7）退火工艺。 谢 谢！ 光纤传感器的应用 （一）温度的检测 光纤温度传感器有功能型和传光型两种。 1、遮光式光纤温度计 下图为一种简单的利用水银柱升降温度的光纤温度开关。可用于对设定温度的控制，温度设定值灵活可变 1 2 3 4 水银柱式光纤温度开关 1 浸液 2 自聚焦透镜 3 光纤 4 水银 下图为利用双金属热变形的遮光式光纤温度计。当温度升高时，双金属片的变形量增大，带动遮光板在垂直方向产生位移从而使输出光强发生变化。这种形式的光纤温度计能测量10℃～50℃的温度。检测精度约为0.5℃。它的缺点是输出光强受壳体振动的影响，且响应时间较长，一般需几分钟。 光源 接收 热双金属式光纤温度开关 1 2 1 遮光板 2 双金属片 2、透射型半导体光纤温度传感器 当一束白光经过半导体晶体片时，低于某个特定波长λg的光将被半导体吸收,而高于该波长的光将透过半导体。这是由于半导体的本征吸收引起的,λg称为半导体的本征吸收波长。电子从价带激发到导带引起的吸收称为本征吸收。当一定波长的光照射到半导体上时,电子吸收光能从价带跃迁入导带,显然,要发生本征吸收,光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，即 因λ＝c/v，则产生本征吸收条件 h ——普朗克常数；v ——光频率 因此，对于波长大于λg的光，能透过半导体，而波长小于λg的光将被半导体吸收。不同种类的半导体材料具有不同的本征吸收波长，图为在室温(20℃)时,120μm厚的GaAs材料的透射率曲线。 由图看出，GaAs在室温时的本征吸收波长约为880nm左右，半导体的吸收光谱与Eg有关，而半导体材料的Eg随温度的不同而不同，Eg与温度t的关系可表示为 式中：Eg（0）——绝对零度时半导体的禁带宽度； α——经验常数(eV／K)；β——经验常数(K)。 850 800 900 950 1000 0 10 20 30 40 t=20℃ 波长λ/nm GaAs的光谱透射率曲线 透射率(%) 对于GaAs材料，由实验得到 α =5.8×10-4eV/K β=300K 2、透射型半导体光纤温度传感器 当一束白光经过半导体晶体片时，低于某个特定波长λg的光将被半导体吸收,而高于该波长的光将透过半导体。这是由于半导体的本征吸收引起的,λg称为半导体的本征吸收波长。电子从价带激发到导带引起的吸收称为本征吸收。当一定波长的光照射到半导体上时,电子吸收光能从价带跃迁入导带,显然,要发生本征吸收,光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，即 因λ＝c/v，则产生本征吸收条件 h ——普朗克常数；v ——光频率 因此，对于波长大于λg的光，能透过半导体，而波长小于λg的光将被半导体吸收。不同种类的半导体材料具有不同的本征吸收波长，图为在室温(20℃)时,120μm厚的GaAs材料的透射率曲线。 由此可见，半导体材料的Eg随温度上升而减小，亦即其本征吸收波长λg随温度上升而增大。反映在半导体的透光特性上，即当温度升高时，其透射率曲线将向长波方向移动。若采用发射光谱与半导体的λg(t)相匹配的发光二极管作为光源，如图，则透射光强度将随着温度的升高而减小。 LED发光光谱 半导体透射率 T1T2T3 T3 T1 T2 相对发光强度 半导体透射测量原理 透射率 波长 （二）压力的检测 种类：强度调制型、相位调制型和偏振调制型三类。 1、采用弹性元件的光纤压力传感