电子测量技术应用基础第2版第7章电压测量.ppt

　　【例1】　DS26A直流DVM的基本量程8 V挡的固有误差为±0.02%Ux±0.005%Um， 最大显示为79 999， 问满度误差相当于几个字? 　　解： 满度误差为 ΔUFs=±0.005%×8=±0.0004 V 该量程每个字所代表的电压值为 Ue=　　　=0.0001 V 所以8 V挡上的满度误差±0.005%Um也可以用±4个字表示。 　　【例2】　用4　　位SX1842 DVM测量1.5 V电压， 分别用2 V挡和200 V挡测量， 已知2 V挡和200 V挡固有误差分别为±0.025%Ux±1个字和±0.03%Ux±1个字。 问： 两种情况下由固有误差引起的测量误差各为多少? 　　解： 该DVM为四位半显示， 最大显示为19 999， 所以2 V挡和200 V挡±1个字分别代表： Ue2=±　　　　=±0.0001 V 和 Ue200=±　　　　=±0.01 V 　　用2 V挡测量时的示值相对误差为 用200 V挡测量时的示值相对误差为 　　6. 抗干扰能力 　　由于DVM的灵敏度很高， 因而对外部干扰的抑制能力就成为保证它的高精度测量能力的重要因素。 外部干扰可分为串模干扰和共模干扰两种。 　　1) 串模干扰 　　串模干扰是指干扰电压usm以串联形式与被测电压Ux叠加后加到DVM输入端， 见图7.7-14。 图(a)表示串模干扰来自被测信号源内部， 图(b)表示串模干扰是由于测量引线受外界电磁场感应所引起的。 通常用串模干扰抑制比SMR来表示DVM对串模干扰的抑制能力。 SMR(dB)=20 lg　　　　　　　　　(7.7-18) 式中， Usmp表示串模干扰电压峰值； ΔUsm表示由串模干 扰usm所引起的测量误差。 SMR值愈大， 表示DVM抗串模干扰能力愈强。 一般DVM的SMR值为20~60 dB。 　　设串模干扰源为正弦波： usm(t)=Usmp sinωt=Usmp sin　　　　　　　　(7.7-19) 式中， Tsm为正弦型串模干扰的周期。 对于积分型DVM而言， 由于积分过程就是取平均值的过程， 因此对于正弦型串模干扰的抑制能力很强。 可以证明， 积分型DVM的串模干扰抑制比为 (7.7-20) 式中， T1为积分式A/D的取样周期。 T1值越大， SMR值越高； 相反，Tsm值越大， 即干扰信号频率越低， SMR值越小， 因此串模干扰的危害主要在低频。 实际测量中主要是50 Hz工频， 其周期Tsm=20 ms。 根据式(7.7-20)， 若令取样周期即积分时间T1为20 ms的整数倍， 则SMR值将趋于无穷大， 即串模干扰得到完全抑制。 因此实际积分式DVM中， T1一般取60 ms或80 ms。 因为各种因数的影响， 很难保证T1始终是Tsm的整数倍(比如50 Hz电源频率的微小波动就破坏了这种关系)， 所以为使SMR尽可能高，T1应尽量大一些， 但这将降低测量速度。 　　2) 共模干扰 　　用DVM进行测量时的共模干扰如图7.7-15所示。 图中， Z1、 Z2是DVM两个输入端与机壳间的绝缘阻抗， 一般Z1Z2; R1、 R2是测量引线的电阻。 当被测信号源地端与DVM机壳间存在电位差时， 这个电位差就相当于一个干扰源Ucm。 Ucm将串入两根信号引线， 由于(R1+Z1)不等于(R2+Z2)， 因此Ucm的作用等效于信号通道中的串联干扰源， 对测量结果发生影响， 如图7.7-14中Usm的作用。 图7.7-15　共模干扰示意图 　　如果(R1+Z1)=(R2+Z2)， 则尽管有Ucm存在， 等效的Usm也等于零， 不会影响测量结果。 因此将Ucm与Usm的比值定义为DVM的共模抑制比：CMR(dB)=20 lg 　　　　　(7.7-21) 式中， Ucmp和Usmp分别为共模干扰的峰值和它等效的串模干扰的峰值。 　　一般Z1Z2， 故可忽略图7.7-15中I1的影响， 所以有 Usmp≈R2I2≈R2 · 即 CMR(dB)≈20 lg (7.7-22) 当R2一定时， 尽量增大|Z2|， 可以增大CMR。 通常DVM中将A/D浮置并采取多层屏蔽措施就是为了这一目的。 小　　结 　　(1) 电压是基本的电参数， 其他许多电参数可看做电压的派生量， 电压测量方便， 因此电压测量是电子测量中最基本的测量。 　　(2) 电压表的输入阻抗相对于被测电路的等效输出阻抗越大，