薄膜应力与抛光应力对铜膜化学机械抛光行为影响之研究.docx

XXXX大学机械工程学系硕士论文 指导教授：XXX 博士 共同指导：XXX 博士 XXX 博士 薄膜应力与抛光应力对铜膜化学机械抛光行为影响之研究 A STUDY ON THE EFFECTS OF FILM STRESS AND POLISHING STRESS ON COPPER CMP 研究生：XXX 撰 XXXX九十一年七月三日 XXXX大学 硕士论文 薄膜应力与抛光应力对铜膜化学机械抛光行为之影响 研究生：XXX撰 机械工程学系 PAGE II PAGE III PAGE I 摘 要 化学机械抛光为半导体制程中最常用的平坦化制程，本文探讨铜膜 CMP 抛光过程既有应力与外加应力对抛光制程材料移除之影响。前者为晶圆薄膜溅镀过程所残留之应力，后者为 CMP 抛光制程中所之施加应力。 本文以纯腐蚀、纯机械抛光及 CMP 抛光三组实验进行分析。研究主要发现（1）沈积薄膜与退火后之薄膜均为张应力，张应力将使金属键 结 受 拉 伸 ， 进 而 促 使 腐 蚀 率 增 加 。（ 2）退火后薄膜应力均增加，厚度为 1,000nm 与 2,000nm 铜 膜 之 退 火 温 度 愈 高 应 力 愈 大 ； 而 厚 度 为 1,500nm 铜膜之退火温度愈高应力反而下降。以相同退火温度之 实验结果显示，退火温度为 150°C 及 250°C 时，薄膜应力愈大，导致较大的移除率。而退火温度为 200°C 之铜膜，虽然应力愈大但移除率并没有增加反而下降。（3）厚度为 1,000nm 铜 膜 之退 火 温 度 愈高 则 应 力 愈大 ，对应的腐蚀速率也愈大。（4）以厚度 1,000nm 铜膜进行连续抛光，并量测其应力与厚度，结果显示，当铜膜厚度低于 450nm 以下时，移除率 明 显 增 加 ， 当 厚 度 低 于 此 值 时 ， 既 有 应 力 将 强 烈 影 响 移 除 率 。（ 5）实验显示纯机械抛光移除率甚低，其值小于 20?/min，显示化学机械抛 ABSTRACT Chemical mechanical polishing (CMP) is the most commonly used process in the planarization of wafer surfaces. This thesis, from the stress viewpoint, investigates the effects of intrinsic stress and extrinsic stress on the removal rate of copper CMP. The former is the stress from the sputtering and annealing processes while the latter is the stress occurred in the polishing process. Three types of experiments are designed and conducted in this thesis, including chemical corrosion, mechanical polishing, and CMP. Achievement of this study includes the following items: (1) The copper film after sputtering and annealing sustains tensile stress that intensifies corrosion rate. (2) Film stress increases after annealing. For copper film with 1,000 nm and 2,000 nm in thickness, the stress increases as the annealing temperature increases. For film of 1,500nm in thickness, the stress decreases with the annealing temperature. The corrosion rates of films with annealing temperature at 150°C and 250°C increase with film stress. But the rate decrease with film stress for copper film annealed at 200°C. (3) The stress of 1