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2020-01-14 发布于上海
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2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4; 电可改写只读存储器E2PROM（b）;2019/12/4;Flash ROM工作原理：写入：在控制栅上加足够高的正电压Vpp，在漏极上施加比Vpp稍低的电压，源极接地。源区的电子在沟道电场作用下向漏区运动，一些热电子越过氧化层进入浮置栅。擦除：利用隧道效应实现的，源极正电压，控制栅接负电压，漏极浮空，浮置栅电子穿过氧化层进入源区。;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;PC 相变盘利用相变材料的晶态和非晶态来记录信息。写入激光束对记录点加热再快速冷却后，从而呈现为非晶态。读出用弱激光来扫描相变盘，晶态反射率高，非晶态反射率低，根据反射光强弱的变化即可检测出“1”或“0”。擦除利用激光束使光盘某点温度升高到低于材料的熔点而高于非晶态的转变温度，使产生重结晶而恢复成多晶结构。 　　无论是磁光盘还是相变盘，介质材料发生的物理特性改变都是可逆变化，因此是可重写的。 ;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4;2019/12/4