四探针法shao教案概要.pptVIP

6.1.4 应用 6.1.5 思考题 1．分析电阻率误差的来源，指出 的区别及条件各是什么? 2. 为什么要用四探针测量？如果只用两根探针既作电流探针又作电压探针， 这样是否能够对样品进行较为准确的测量? 为什么? 6.1.6 注意问题 1. 为增加表面复合，减少少子寿命及避免少子注入，被测表面需粗磨或喷砂处理。 2. 对高阻及光敏材料，由于光电导及光压效应会影响测量，这时应在暗室进行。 3. 电流要选择适当， 电流太小影响电压检测精度，电流太大会引起发热或非平衡载 流子注入，不同样品的电阻率范围测量电流的选择见表2.6。 表2.6 不同电阻率样品测试电流值 4. 半导体材料的电阻率受温度的影响十分敏感，因此，必须在样品达到热平衡情况下进行测量并记录测量温度。 5. 由于正向探针有少子注入及探针移动的存在，所以在测量中总是进行正反两个电流方向的测量，然后取其平均以减小误差。 四探针仪器 利用探针接触到薄膜表面的情形，通常四探针排列在同一直线上並 利用直流电流施加在外侧两根探针，來诱发內部两根探针之间产生电 压。並且试片之厚度必須大於探针间距离(S)，再利用以下公式计算电 阻率： ρ = 6.28 S V / I 上式中 V ＝漂移电位， I ＝外加电流， S ＝探针间距 四探针系统示意图 总结 如果在绝缘体上镀一导电薄层，则可改用下列公式： t =ρ/R R = 4.53 V/I ? 其中t = 试品厚度， ρ= 电阻率， R = 电阻值 算出已知之导体厚度（Layer Thickness） 的材料之片电阻（Sheet Resistance） 或已知片电阻的材料之层厚。 薄膜中电压与电流状态 总结 算出已知之导体厚度（Layer Thickness）的材料之片 电阻（Sheet Resistance）或已知片电阻的材料之层厚。 总结 片电阻計算 R = 4.53 V/I R ＝ 片电阻（Sheet Resistance， Ω/□） V ＝漂移电位（Floating Potential ， V）， I ＝外加电流（mA） 总结 第六章 半导体的电学测量 6.1 电阻率的测量 -------------直线四探针法 电阻率是半导体材料的重要参数之一。单晶材料的电阻率与半导体器件的性能有着十分密切的关系，如晶体管的击穿电压等参数就是直接与硅单晶的电阻率有关。电阻率的测量方法很多，如三探针法、霍尔效应法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。除了用四探针法测量材料电阻率以外，在器件生产中广泛使用四探针法来测量扩散层薄层电阻以判断扩散层质量是否符合设计要求。 6.1.1 基本原理 1. 半导体材料的电阻率 在半无穷大样品上的点电流源， 若样品的电阻率ρ均匀， 引入点电流源的探针，其电流强度为I，则所产生的电力线具有球面的对称性， 即等位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图2-1 所示。在以ｒ为半径的半球面上，电流密度ｊ的分布是均匀的： 若E 为ｒ处的电场强度， 则 图2.1 半无穷大样品点电流源的半球等位面 6.1.1 基本原理 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系， 则 取ｒ为无穷远处的电位为零， 则 6.1.1 基本原理 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处点的电势的贡献。 对于图2-2 所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1 流入，从探针4 流出，则可将1 和4 探针认为是点电流源，由(2-6)式可知，2 和3 探针的电位为 图2-2 任意位置的四探针 6.1.1 基本原理 2、3 探针的电位差为： 由此可得出样品的电阻率为： (2-8)式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。我们只需测出流过1 4 探针的电流I以及2 3 探针间的电位差V2 3，代入四根探针的间距， 就可以求出该样品的电阻率ρ。 6.1.1 基本原理 实际测量中， 最常用的是直线型四探针， 即四根探