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第42 卷 第5 期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vol.42 No.5
2013年9月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Sep. 20 13
·电子信息材料与器件·
AlN/Al O (0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究
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1 1 2 1 1,3
余 毅 ，梁晓琴，黄 平 ，冯玉芳，杨 春
(1. 四川师范大学化学与材料科学学院 成都 610066; 2. 四川师范大学物理电子工程学院 成都 610066;
3. 四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室 成都 610066)
【摘要】针对氮化铝异质薄膜的制备，构建了两种AlN/Al O (0001)材料生长模型，采用基于密度泛函理论的平面波超软
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赝势方法 ，对-Al O (0001) 表面吸附AlN 进行了模拟计算。分析了AlN 在表面的吸附位置及其表面界面结构，发现
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AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al—O键发生了30°的偏转 ，稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al—O层的驰豫 ，
从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。
关 键 词 AlN /Al O 薄膜; 计算机模拟; 吸附生长; 表面界面
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中图分类号 O647, O793 文献标志码 A doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2013.05.027
Study of the Structure of the Surface and Interface
of the Growth and Absorption of AlN/Al O (0001) Film
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1 1 2 1 1,3
YU Yi , LIANG Xiao-qin , HUANG Ping , FENG Yu-fang , and YANG Chun
(1. College of Chemistry and Materials, Sichuan Normal University Chendu 610066;
2. College of Physics and Electronic Engineering, Sichuan Normal University Chendu 610066;
3. Visual Computing and Virtual Reality Key Laboratory of Sichuan, Sichuan Normal University Chendu 610066)
Abstract In view of the AlN thin films preparation, two AlN/Al O (0001) growth models have been bui
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