传感器原理与传感器技术第6章　磁电式传感器.ppt

1.磁敏电阻的结构 图6-23　栅格磁敏电阻 1.磁敏电阻的结构 图6-24　磁敏电阻的结构a)两端型　b)三端型1—基片　2—InSb 2.磁敏电阻主要特性 (1)磁电特性(电阻变化与磁感应强度的关系) (2)温度特性　 (3)频率特性　 (1)磁电特性(电阻变化与磁感应强度的关系)　 图6-25　不同磁敏电阻的结构a)串联的磁敏电阻　b)磁敏电阻接成的电桥 (1)磁电特性(电阻变化与磁感应强度的关系) 图6-26　InSb-NiSb磁阻变化与磁感应强度B的关系 (2)温度特性 　由于磁敏电阻是由半导体材料制作的，因此，它受温度影响极大，InSb-NiSb磁阻元件温度系数和磁感应强度B的关系如图6-27所示。 图6-27　InSb-NiSb磁阻元件温度系数和磁感应强度B的关系 (3)频率特性　 磁敏电阻的工作频率范围一般为1～10MHz。 2.转矩测量 图6-8　转矩测量a)安装图　b)输出波形图1—齿轮　2—磁电式传感器　3—转轴 6.2　霍尔传感器 6.2.1　霍尔传感器的工作原理6.2.2　霍尔传感器的结构及特性6.2.3　霍尔传感器的转换电路6.2.4　霍尔传感器的应用 6.2.1　霍尔传感器的工作原理 图6-9　霍尔效应的原理图 6.2.1　霍尔传感器的工作原理 表6-1　霍尔元件的材料特性 材料 迁移率μ（c/V·S） 霍尔系数/（c/℃） 禁带宽度/eV 霍尔系数温度特性/（%/℃) 电子 空穴 Ge1 3600 1800 4250 0．60 0．01 Ge2 3600 1800 1200 0．80 0．01 Si 1500 425 2250 1．11 0．11 InAs 28000 200 570 0．36 -0．1 InSb 75000 750 380 0．18 -2．0 GaAs 10000 450 1700 1．40 0．02 6.2.1　霍尔传感器的工作原理 表6-2　形状效应系数 长宽比l/b 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 4.0 形状效应系数f(l/b) 0.370 0.675 0.841 0.928 0.967 0.984 0.996 6.2.2　霍尔传感器的结构及特性 1.霍尔传感器的结构2.霍尔传感器的基本特性 1.霍尔传感器的结构 图6-10　霍尔传感器a)外形结构示意图　b)图形符号　c)霍尔电极位置1-1′—控制电极　2-2′—输出电极 2.霍尔传感器的基本特性 (1)UH-I特性　(2)UH-B特性　(3)主要参数　 (1)UH-I特性　 在一定温度下，由式(6-15)可知，若固定磁感应强度B，霍尔输出电动势UH与控制电流I之间呈线性关系，如图6-11所示。 (2)UH-B特性　 图6-11　霍尔元件的-I关系 (2)UH-B特性　 图6-12　-B特性曲线 (3)主要参数　 1)输入电阻Ri和输出电阻Ro：霍尔元件控制电流极间的电阻为输入电阻Ri；霍尔电压极间电阻为输出电阻Ro。2)额定控制电流Ic：额定控制电流Ic为使霍尔元件在空气中产生１0℃温升的控制电流。3)不等位电动势U0和不等位电阻R0：霍尔元件在额定控制电流作用下，不加外磁场时，其霍尔电动势的极间电动势为不等位电动势(也称为非平衡电压或残留电压)。4)灵敏度KH：灵敏度是在单位磁感应强度下，通以单位控制电流所产生的开路霍尔电压。5)霍尔电动势温度系数α：α为温度每变化1℃时霍尔电动势变化的百分率。6)电阻温度系数β：β为温度每变化1℃时霍尔元件材料的电阻变化的百分率。 (3)主要参数　 7)灵敏度温度系数γ：γ为温度每变化l℃时霍尔元件灵敏度的变化率。8)线性度：霍尔元件的线性度常用0.1T时霍尔电压相对于0.5T时霍尔电压的最大差值的百分比表示。 表6-3　几种霍尔元件的主要技术参数 霍尔元件 控制电流/mA 空载霍尔电压/mV（B=0．1T) 输入电阻/Ω 输出电阻/Ω 灵敏度/(mV/mA·T) 不等位电动势/mV 的温度系数α/(%/℃) 电阻温度系数β(%/℃) 材料 EA218 100 8．5 约3 约1．5 0．35 0．5 约-0．1 约0．2 InAs FA24 100 13 约6．5 约2．4 0．75 0．15 约0．07 约0．2 InAsP KH—400A 5 250～550 240～550 50～1100 50～1100 10 -0．1～-1．3 -1．0～1．3 InSb VHG—110 5 15～110 200～800 200～800 30～220 的20%之内 -0．05 0．5 GaAs 表6-3　几种霍尔元件的主要技术参数 AG1 20(max) 5 40 30 2．5