半导体三极管及其基本放大电路分解.pptxVIP

第2章 三极管及其放大电路半导体三极管放大电路性能指标共射基本放大电路工作点稳定电路 共集电极电路和共基极电路多级放大电路反馈放大电路什么是放大?电信号放大:窃听器?2.1半导体三极管半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。硅管高频管③ 按半导 体材料分① 按频率分锗管低频管大功率管NPN型② 按功率分④ 按结构 不同分中功率管小功率管PNP型【分类】2.1.1 BJT的结构与符号图形符号(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管集电极，用C或c表示（Collector）。 发射极，用E或e表示（Emitter）；集电区 发射区基区发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base）三极管符号箭头代表发射极电流的实际方向① 发射区：高杂质掺杂浓度；(芝麻)c② 基区：很薄（通常为几微米～几十微米），低掺杂浓度；(薄牛肉)N③ 集电区：bP掺杂浓度要比发射区低；N面积比发射区大；e结构制作要求：cN从外部条件来看：bPNe2.1.2 BJT的电流放大作用 1.三极管的偏置为实现放大，必须满足三极管的内部结构和外部条件两方面的要求。要求外加电源电压的极性必须满足：①发射结正向偏置UBE0②集电结反向偏置UBC0三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。＋c＋Nc区RcVCB发射结正偏：Jcb－b区P由VBB保证VCE＋JeRbVCC集电结反偏：Ne区VBEVBB由VCC VBB保证－－eVCB=VCE - VBE 0例：共发射极接法即在满足内部结构要求的前提下，三极管要实现放大，必须连接成如下形式：（1）发射区向基区注入电子，从而形成发射极电流IE。cNRcJcPbJeRbNVBBe例：共发射极接法2.三极管电流分配关系：IENVCCIEPIE=IEN+IEP≈IENc（2）在基区中NRc①电子继续向集电结扩散；JcPbJeRb②少数电子与基区空穴相复合，形成IB电流。NVBBe例：共发射极接法（1）发射区向基区注入电子，从而形成发射极电流IE。IB≈IBE复合IBEVCCIEcNRcJcPbJeRbNVBBe例：共发射极接法（1）发射区向基区注入电子，从而形成发射极电流IE。IC≈ICN（2）在基区中ICN①电子继续向集电结扩散；IB②少数电子与基区空穴相复合，形成IB电流。IBE（3）集电区收集大部分的电子，形成IC电流。VCCIEICcICBONRcIBJcPbJeICRbNVCCIBVBBIEe可简化为IE例：共发射极接法将三极管看成一个广义的节点（如下图），有：IE=IC+IB故集电极与基极电流的关系为：ICβIBIE将三极管看成一个广义的节点（如下图），有：共射电流放大倍数共基极电流放大系数IE=IC+IBIC≈αIEIB=IE-IC=IE-αIE=(1-α)IE故集电极与基极电流的关系为：IC=βIBIE共基极电流放大系数共射电流放大倍数2.1.3 .BJT的特性曲线BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特性曲线。输入特性：输出特性：iC=IC+ΔiC+c+iB=IB+ΔiBbvCERLΔvO+e-vBE--ΔvIiE=IE+ΔiE以共射放大电路为例：输出回路输入回路iB /μAvBE /V输入特性曲线分三部分：① 死区vCE =1V② 非线性区25℃③ 线性区vCE 1VvCE =0V记住：③①当vCE1时，各条特性曲线基本重合。②①②当vCE增大时特性曲线相应的右移。BJT共射接法的输入特性曲线iC /mA=80μA=60μA=40μA=20μAvCE/V25℃BJT共射接法的输出特性曲线输出特性曲线它是以iB为参变量的一族特性曲线。iC /mA=80μA=60μA=40μA=20μAvCE /V25℃输出特性曲线可以划分为三个区域：饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏iC /mA=80μA=60μA=40μA=20μAvCE /V25℃饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小。此时Je正偏，Jc正偏。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时Je反偏，Jc反偏。iC /mA=80μA=60μA=40μA=20μAvCE /V25℃饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小，一般vCE0.7V（硅管）。此时Je正偏，Jc正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时Je反偏，Jc反偏。模电着