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课程设计报告书 一：设计要求 （a) 设计 Array 基板 (Cs on gate)的次像素图形 （b) 设计 8 英寸 TFT 显示屏 Array 基板（ Cs on gate） （c) 设计对应的五张掩模板： GE 版、 SE 版、 SD 版、 CH 版、 PE 版，并且进行阵列 外布线 (d) 设计 CF 基板（上玻璃板尺寸的确定设计、黑色矩阵的设计、色层位置的确定） （e）cell 盒设计（取向剂掩模版 PI 版、丝印边框掩模版 Seal 版） 二：设计步骤 （a） 研究课程设计题目 ,进行小组内讨论，并确定最终的课设题目。 （b） 确定规格：显示屏规格尺寸、工作模式、分辨率、开口率、宽高比。 （c） 利用 Initdesign 计算软件的四条限制线确定 CS 所占次像素比例大小和沟道宽度 W 。 （d） 计算参数。 （e） 绘制图形 （1） 绘制 Array 基板 ① 绘制子像素、子像素尺寸标注、阵列 ② 绘制 GE 、SE、SD 、CH 、PE 这五张掩膜版。 ③ 布线 （2 ） CF 基板 ① 上玻璃板尺寸的确定设计 ② 黑色矩阵的设计 ③ 色层位置的确定 （3 ）设计 cell 盒 ①取相剂掩模版 PI 版 ②丝印边框掩模版 Seal 版 三：设计思想 阵列中每个画素的大小和形状是一样的， 但是每个画素的细部设计， 并不一定要完全一 样，利用画素设计的细部改变， 可以解决一些问题。 比如通过精密计算沿着扫描线改变 TFT 的寄生电容的大小， 可以补偿电容耦合效应和信号延迟效应， 但是这样设计会使得整个布局 非常复杂，又会产生其他的问题，因此目前在绝大多数的 TFT 设计中，都是采用完全相同 的画素设计。 为了使得设计出来的显示器在各种情况下都能够满足驱动原理的要求，采用的设计观念是 “最坏情况设计 ”，即在设计时考虑在极限情况下能够使用，那么其他情形就没有问题。 比如 画面的帧频在 60 ～75Hz ，则以 75Hz 考虑充电时间，而以 60Hz 考虑电荷保持时间，这样在 两个极限条件下如果能够满足，其它频率下肯定能够满足 四：具体设计过程 （1） 规定产品规格为 8in ，规定分辨率为 640 ×480 ，宽高比为 4:3 ，开口率为 70%。 （2 ） 规定电学参数：包括资料驱动 IC ，扫描驱动 IC ，共电极等的电压范围及方式， TFT 的漏电流， 最小视讯电压信号范围， 延迟时间， 直流电压残留值， 寄生电容， 电子迁移率，截止电压等 （3 ） 设计参数的确定：采用像素全同设计方式，根据设定好的参数，以存储电容 Cs 和沟道宽度 W 作为初始设计目标，以四大考量为基础，编写方程式，利用 Initdesigh 确定 Cs 和 W的值，进行初始画素布局， 粗略计算开口率及其它参数。 ① 利用 Initdesign 确定 CS 和 W 。 经过软件模拟，从图中可以看到四条限制线的交集为一个近似三角形的区域， 在此区域内的 Cs