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第三章 半导体存储器 第三章 半导体存储器 3.1存储器的分类和主要性能指标 1．存储器的分类 外存储器 内存储器（半导体存储器） 第三章 半导体存储器 A8 A9 A0 ︰ ︰ A7 D0 ︰ ︰ ︰ D7 地 址 线 数 据 线 A0 CE 4 I/O A0 CE 3 256 × 4 A7 I/O A0 CE 6 I/O A0 CE 5 256 × 4 A7 I/O A0 CE 8 I/O A0 CE 7 256 × 4 A7 I/O A0 CE 2 I/O A0 CE 1 256 × 4 A7 I/O 译 码 器 用256×4位的芯片组成1K RAM的方框图 3.4只读存储器的结构、特点和分类 1．只读存储器的分类、结构和特点 ROM的分类 掩模ROM 一次性可写ROM 可读写ROM 第三章 半导体存储器 ROM的结构 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 ROM的特点 非易失性 ROM的分类 掩模编程的ROM（Mask Programmed ROM） 现场编程ROM 可改写的PROM（Erasable Programable ROM） UVEPROM：紫外线擦洗的EPROM（Ultraviolet EPROM） E2PROM：电擦洗的EPROM（Electrically EPROM） 或称EAROM：电改写的ROM，即Electrically Alterable ROM 第三章 半导体存储器 2．紫外线擦除可编程只读存储器UVEPROM 特点： 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 第三章 半导体存储器 EPROM 2764 8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容： 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM 2764的工作方式 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 编程写入的特点： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 3．电擦除可编程只读存储器E2PROM 特点： 可在线编程写入； 掉电后内容不丢失； 电可擦除。 第三章 半导体存储器 EEPROM芯片98C64A 8K×8bit芯片； 13根地址线（A0 ~ A12）； 8位数据线（D0 ~ D7）； 输出允许信号（OE）； 写允许信号（WE）； 选片信号（CE）； 状态输出端（READY/BUSY）。 工作方式 数据读出 编程写入 擦除 字节写入：每一次BUSY正脉冲写 入一个字节 自动页写入：每一次BUSY正脉写 入一页（1~ 32字节） 字节擦除：一次擦除一个字节 片擦除：一次擦除整片 EEPROM的应用 可通过编写程序实现对芯片的读写，但 每写入一个字节都需判断READY/BUSY 端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节。 4．Flash闪速存储器 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式。 第三章 半导体存储器 * * RAM ROM 由上至下容量越来越大，速度越来越慢 通用寄存器堆及 指令、数据缓冲栈 高速缓存 主存储器 联机外存储器 脱机外存储器 第三章 半导体存储器 半导体存储器 存储器是计算机中用来记录信息的设备。由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些物理器件组成。 能存放一位二进制数的物理器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 RAM：随机存取存储器（Random Access Memory）又称读写存储器 静态RAM（Static RAM，简称SRAM） 动态RAM（Dynamic RAM简称DRAM） ROM：只读存储器（Read Only Memory） 掩模式ROM 可编程序只读存储器PROM（Progammable ROM） 可改写的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM） 第三章 半导体存储器 2．内存储器的性能指标 存储容量 最大存取时间 功耗 可靠性 — 平均故障间隔时间（MTBF） 集成度 第三章 半导体存储器 3.2 随机存取存储器RAM 1．基本结构 存储矩阵 地址译码器 存储器控制电路 三态双向缓冲器 存储矩阵 地址译码器 地址寄存器 地址总线 读写放大器 数据寄存器 数据总线 控制电路 OE WE CE