第三章--双极型晶体管.pptVIP

代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程 等效电路见图 对照式（3.5.1）、 （3.5.2）得E-M方程互易定理 实际器件中 互易定理的本质是：eb 结与cb 结有共同部分（基区），无论哪个结短路，另一个结的反向饱和电流都含有共同的基区少子扩散电流 2. EM1模型 式（3.5.15）、（3.5.16）是以晶体管某一极短路时的反向饱和电流来表示端电流的EM方程；同样也可以某一极开路时的反向饱和电流 来表示EM方程 3.3 晶体管的直流电流增益 （1）基区自建电场计算公式 （2）基区杂质分布指数近似 二、发射区自建电场 3.3 晶体管的直流电流增益 三、缓变基区晶体管电流增益推导思路 A、先忽略基区中少子复合。 B、利用： “电流 ＝ 少子扩散电流＋在自建电场作用下的漂移电流” 关系，得到基区和发射区少子密度分布函数 η= 0 1 2 3 x nB(x) 基区少子分布： (3.3.46) 当基区杂质指数分布时 (3.3.47) 根据(3.3.46)，利用 类似可得到 3.3 晶体管的直流电流增益 C、利用 把(3.3.47)代入得到基区复合电流 D、引入平均杂质浓度的概念求出 jne 和 jpe ，得到发射效率 E、得到共基极和共射极 电流放大系数 3.3 晶体管的直流电流增益 四、电流增益 （1）发射效率 3.3 晶体管的直流电流增益 （2）输运系数 均匀基区晶体管 ：λ= 2 基区杂质线性分布：λ= 4 基区杂质指数近似： 3.3 晶体管的直流电流增益 （3）共基极电流增益 （4）共射极电流增益 发射效率与均匀基区形式相同 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.3 提高放大系数的途径 1、减小基区宽度 2、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比NE/NB↑ 3、提高基区电场因子 4、提高基区“少子”寿命 3.3.4影响电流放大系数的因素 1. 发射结势垒复合对电流放大系数的影响 2. 发射区重掺杂效应对电流放大系数的影响 发射区过重的掺杂不仅不能提高发射效率，反而使发射效率降低 1）形成杂质带尾，禁带变窄 发射区有效杂质浓度降低为: 发射区有效杂质浓度降低，导致发射效率下降。 2）俄歇复合 发射区少子空穴寿命 随着俄歇复合寿命 ↓而↓。 俄歇复合 通过复合中心复合 少子空穴寿命缩短使注入到发射区的空穴增加，发射效率↓。 表面复合对基区输运系数的影响可表示为 对均匀基区 对缓变基区 S为表面复合速率 体复合 表面复合 3.基区表面复合 共射极输出特性曲线上 VBC ＝0 点的切线与 VCE 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压， IC VCE －VEA IB增大 基区有效宽度随集电结偏压而变化的现象称为基区宽度调变效应（厄尔利效应） 4. 基区宽变效应 有宽变效应的电流放大系数： 3.4 晶体管的特性参数 3.4.1 晶体管的放大系数 共基极直流放大系数和交流放大系数?0 、 ? 两者的关系 共发射极直流放大系数交流放大系数?0、 ? 3.4.2 晶体管的反向电流 一、定义 晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。 1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。 2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。 3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。 I V Iebo I V Icbo I V Iceo 二、反向电流的来源 实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产生电流和表面漏电流。 对Ge管：主要是反向扩散电流 对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定 共射极接法，信号放大的同时， 相应的漏电流也增大了 倍 3.4.3 晶体管的击穿电压 1、 BVebo 2、BVcbo 3、Bvceo 定义：某一极开路，另二极所能承受的最大反向电压 4、基区穿通电压VPT ：集电极开路时e-b间反向击穿电压 ：发射极开路时c-b间反向击穿电压 ：基极开路时e-c间所能承受的最高反向电压 3.4.4 基极电阻 基极电流为横向电流，基区掺杂浓度低，且很薄，这个电阻不可忽略。 基极电阻rb： 扩展电阻，包括基区体电阻和基极电极引出线处接触电阻。 3.4.5 晶体管的频率特性参数 ?截止频率 f?：共基极电流放 大系数减小到低频值的