半导体制程概论07.pptVIP

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 7 電漿的基礎原理 目標 列出至少三種使用電漿的IC製程 列出電漿中重要的三種碰撞 描述平均自由徑 解釋電漿在蝕刻和化學氣相沉積製程的好處 說出至少兩種高密度電漿系統 討論的主題 什麼是電漿? 為什麼使用電漿? 離子轟擊 電漿製程的應用 電漿製程的應用 化學氣相沉積 蝕刻 物理氣相沉積 離子佈植 光阻剝除 製程反應室的的乾式清洗 電漿是什麼? 具有等量的正電荷和負電荷的離子氣體 更精確的定義: 電漿就是有著帶電與中性粒子之準中性的氣體，電漿本身就是這些例子的集體行為 例如 太陽, 焰火, 氖光, 等 電漿的成分 電漿是由中性原子或分子、負電(電子)和正電(離子)所構成 準-中性: ni ? ne 游離率: h ? ne/(ne + nn) 游離率 游離率主要受電漿中的電子能量決定 大部分電漿製程反應室，電漿的游離率小於0.001%. 高密度電漿(HDP)源的有較高的游離率, 約 1% 太陽核心的游離率約~100%. 中性氣體密度 理想氣體 1 摩爾 = 22.4 升 = 2.24?104 cm3 1 摩爾 = 6.62 ?1023 個分子 １大氣壓下的氣體密度是2.96?1019 cm?3 １托的氣體密度是 3.89?1016 cm?3 １毫托的氣體密度是 3.89?1013 cm?3 射頻電漿原有非常低的游離率 平行板電漿系統 電漿的產生 需要借助外界的能量 射頻 (RF) 電能是最常使用的電源 產生一個穩定的射頻電漿需要真空系統 離子化 e- + A A+ + 2 e- 游離碰撞產生電子和離子 維持電漿的穩定 離子化的說明 激發－鬆弛 e- + A ? A* + e- A* ? A + hn (光) 不同的原子/分子有不同的頻率,也就是為什麼不同的氣體會發出不同的顏色. 偵測電漿的發光變化來決定蝕刻和化學氣相沉積反應室清潔步驟的終端點(endpoint) 激發碰撞 鬆弛 分解 電子和分子碰撞，可以打斷化學鍵並產生自由基: e- + AB ? A + B + e- 自由基至少有一個未成對電子，化學上是容易起反應的. 增加化學反應速率 對蝕刻和化學氣相沉積製程非常重要 分解 電漿蝕刻 氧化物蝕刻製程，在電漿中使用CF4 產生氟(F)的自由基e- + CF4 ? CF3 + F + e- 4F + SiO2 ? SiF4 + 2O 增進蝕刻製程的化學反應 電漿增進化學氣相沉積化學反應 PECVD氧化物的製程用矽烷和 NO2 (笑氣) e- + SiH4 ? SiH2 + 2H + e- e- + N2O ? N2 + O + e- SiH2 + 3O ? SiO2 + H2O 電漿增進化學反應 在相對低溫下，PECVD可達高的沉積速率 問與答 為何在銅和鋁的濺鍍製程中，分解碰撞並不重要? 問與答 在PVD製程中有分解碰撞嗎? 表7.1 矽烷的分解 問與答 表7.1中哪種碰撞最有可能發生?為什麼? 平均自由路徑 (MFP) 粒子和粒子碰撞前能夠移動的平均距離. 平均自由路徑說明 平均自由路徑 (MFP) 壓力的影響 壓力越高, 平均自由路徑越短 壓力越低, 平均自由路徑越長 問與答 為何需要用到一個真空反應室來產生穩定的電漿? 帶電粒子的移動 電子質量遠小於離子 me mi me:mH =1:1836 電子和離子具相同的電力 F = qE 電子有較高的加速度 a = F/m 帶電粒子的移動 射頻電場變化的非常快，電子可以快速的加速且開始碰撞，離子太重無法立即對交流的電場作出反應 由於離子的碰撞截面較大所以有較多的碰撞，也因此減緩離子的運動速度 在電漿中電子移動的較離子快很多 熱速度 電子熱速度 v = (kTe/me)1/2 射頻電漿, Te 約 2 eV ve ? 5.93?107 cm/sec = 1.33?107 mph 磁力和螺旋運動 磁力作用在一個帶電粒子上: F = qv?B 磁力總是垂直粒子的速度 帶電粒子沿著磁場線螺旋狀旋繞. 螺旋運動(Gyro-motion) 螺旋運動 螺旋轉動頻率 磁場中的帶電粒子作螺旋運動環繞磁場線的頻率 螺旋轉動半徑 在磁場中帶電粒子的迴旋半徑, r, 可以下式表示: r = v?/W 波茲曼分佈 離子轟擊 當電漿製程開始後，任何接近電漿的東西都會產生離子轟擊 對於濺鍍、蝕刻和電漿增強式化學氣相沉積非常重要 主要受射頻功率供給影響 壓力也會影響轟擊 離子轟擊 電子移動比離子快很多 電子首先到達電極和反應室牆邊 電極帶負電，排斥電子，吸引離子. 鞘極(sheath) 電位差