晶体缺陷5位错的弹性性质.pptxVIP

第5章 位错的弹性性质;晶体中存在位错时，位错线附近的原子偏离了正常位置，引起点阵畸变，从而产生应力场。;应力;某部分物体受的作用力是沿物体表面(界面)的外法线方向，则此力为拉力，它力图使该部分物体伸长。它所产生的应力就是拉应力。;如果作用力平行于作用面，则此力称为切力，单位面积上的切力就称为切应力。它力图改变物体的形状，而不改变体积。切应力用τ表示，并规定使单元体有顺时针旋转趋势的r为正，逆时针则为负。 ;应力状态：通过某一点的所有平面上的应力分布;①首先定位 常用方法;③取3个面上的9个应力分量; 柱坐标;;;应变分量的表示;采用“弹性连续介质”模型进行简化计算。 该模型对晶体作以下假设： a. 完全弹性体b.?各向同性c.?没有空隙，由连续介质组成 因此晶体中的应力应变是连续的可用连续函数表示。;一、螺位错的应力场;;;;;弹性体模型：取各向同性的圆柱体，在其中心挖一个半径为r0的小洞;沿xoz平面从外部切通至中心;在切开的两面上加外力，使其沿x轴作相对位移b；再把切开的面胶合起来。此时，圆柱体内的应力场=刃位错的应力场。;;直角坐标表示：; ，且∝1/r。应力与z无关，垂直于位错线任一截面上应力分布相同。 正应力与切应力同时存在;对称于多余半原子面; 滑移面上无正应力，只有切应力，且其切应力最大。 正刃型位错的滑移面上侧，在x方向的正应力为压应力; 滑移面下侧，在x方向上的正应力为拉应力 半原子面或与滑移面成45°的晶面上，无切应力。;;;二、位错的弹性能;;总应变能：;螺位错r 处的切应变：;单位长度螺位错的弹性应变能为：;二、刃位错的弹性能; （1）总应变能 UT=U0+Uel ;（5）从热力学考虑：ΔG =ΔU - TΔS，由于位错 的存在，ΔU可上升几个以上电子伏特，而组 态熵ΔS小，TΔS 只有十分之几的电子伏特， 所以位错的产生ΔG 0，不稳定。相反空位 等点缺陷是热力学稳定的缺陷。 ;试计算铜晶体内单位长度位错线的应变能。试计算严重变形铜晶体单位体积内存储的位错应变能。已知铜晶体切边模量G＝4×1010N/m2，b＝2.5×10-10m，严重变形金属，晶体中位错密度可达1011m/cm3，铜的密度8.9g/cm3 ;1.写出距位错中心为R1范围内的位错弹性应变能。如果弹性应变能为R1范围的一倍，则所涉及的距位错中心距离R2为多大？;1.什么是应力，其表达式是什么？;课前复习;6.螺位错、刃位错及混合位错的应变能表达式。;位错的弹性能正比于它的长度，因此位错线力图缩短其长度，以达到最低的能量状态。为了描述其缩短趋势，引入位错线张力概念。;;外力作用在晶体上时，晶体中的位错将沿其法线方向运动，通过位错运动产生塑性变形。 为了研究问题的方便，把位错线假设为物质实体线，把位错的滑移运动看作是受一个垂直于位错线的法向力作用的结果，这个法向力称为作用在位错上的力。 它是虚设的、驱使位错滑移的力，它必然与位错线运动方向一致，即处处与位错线垂直，指向未滑移区。;1. 引起位错滑移的力;① f — 单位长度位错线受力， 方向 ，;利用虚功同样处理 大小： 方向：;滑移力F与外加切应力τ关系;刃位错在沿b方向上受正应力作用，将发生攀移运动。 受拉，负攀移 受压，正攀移 攀移使晶体体积变化。 负攀移，体积增大 正攀移，体积缩小;σ;结论：;位错环，在 方向上受外加应力场σ， 设其中一位错元 则位错线扫过的面积为 ， σ所作功为：;3. 一般情形下位错受的力;晶体滑移面上存在一个位错环，外力场在其柏氏矢量方向的切应力为t=10-4G（G为剪切弹性模量），柏氏矢量b=2.55?10-10m，此位错环在晶体中能扩张的半径为多大？;若晶体存在一个位错，它周围便产生一个应力场，如果在其附近引入另一个位错，则前一个位错的应力场必对后一个位错有作用力。或者说两者之间有相互作用力。;; 两平行的 相同的螺位错将排斥。 异号位错将吸引，最后消失。;2. 平行刃位错间的作用力;讨论：;;异号滑移力;第五节 位错间的作用力;同号排斥;3、垂直螺位错间的作用力;在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm推进到3nm时需要用多少功（已知晶体点阵常数a=0.3nm，G=7×1010Pa）？;让位错滑移的切应力一定要作用在滑移面上;2.在下面左图的正应力作用下，各段位错线如何运动？;四、位错的起动力——派纳力;计算τp： →位错的形成模型 →计算滑移面上部(A)和下部(B)之间的错排能εAB(也就是A一B层原子间的