晶体缺陷2资料讲解.ppt

一、单晶体的剪切强度 二、位错与伯格斯矢量 三、位错应力场 四、小角晶界 五、位错密度 六、位错增殖和滑移 七、螺位错与晶体生长 ; ;作为一级近似，可用下式表示应力与位移关系：; 从上表看出，弹性极限的实验值远小于理论模型的估计值，改进模型也得不出好结果，只有引入缺陷，才能很好地解释剪切强度实测值很低的原因。缺陷可作为实际晶体力学柔弱性的源。;二、位错与伯格斯矢量;刃型位错示意图;螺旋位错示意图;;伯格斯迴路和伯格斯矢量（Burgers） 若晶格的三个初基平移为a、b、c,从晶格的某一点出发，以初基矢量为一步，沿着初基矢量的方向逐步走去，最后回到原来的出发点，形成的这个闭合迴路就叫伯格斯迴路。若伯格斯迴路所围绕的区域都是好区域，则：ma+nb+lc=0, 若所围绕的区域内包含有位错线，则 ma+nb+lc=b≠0。矢量b就称为伯格斯矢量。;;刃型位错的伯格斯矢量与位错线垂直并处于滑面之内。 螺型位错的伯格斯矢量与位错线平行。;晶体中线型位错的最普遍形式;; 一个位错在剪应力下的运动，使样品上部向右移动;一个位错通过晶体相当于晶体一个部分的滑移位移。;三、位错应力场;刃型位错;四、小角晶界;五、位错密度;位错的实验观察;杂质原子沿位错线的聚集可以看作是化学腐蚀法和缀蚀法的应用原理。;位错的攀移;空位凝结和位错环;位错环通过空位进一步的沉淀而长大。;六、位错增殖和滑移;位错增殖的弗兰克-里德机制;;七、螺位错与晶体生长; 如果生长速率与表面上台阶边缘的方向无关，则生长图样是一个阿基米德螺旋线：r = aθ，此处a是一个常量。; 螺旋位错和晶体生长;碳化硅晶体上六角形螺旋生长图样;*4.4 缺陷的实验观测：;一、密度和晶格参数的变化;二、电阻率的测量;三、电子自旋共振和电子－核双共振;LiNbO3的ENDOR谱，在其中观察到了Mn2+的谱线。;四、光谱方法;五、显微观察;作 业