第一章光电系统常用光源.pptVIP

⑶ 调制特性 半导体激光器的重要特点是具有直接调制的能力，从而使它在光光通信中得到了广泛的应用 。 给LD加上大于Ith的阶跃电流脉冲时，输出光的瞬态过程表现出电光延迟和张弛振荡。加上合适的偏置电流可以有效地减少电光延迟时间，且利于阻尼掉张弛振荡。 调制电流 模拟调制 数字调制 LD芯片的调制频率很高可达10GHZ 量级。 5.LD的应用 LD体积小，重量轻，易调制，功耗低；效率高，寿命长，有大功率、高集成度器件。已成为最重要的激光器之一。 光通信 光盘存储、光显示 激光印刷、信息处理、办公自动化设备 激光加工、激光医疗 各种半导体激光器需求量极大，是光电子产业的重要支柱。 6.LD的发展日新月异 垂直腔表面发射LD（VCSEL） 微型F-P激光器：垂直短腔几微米、上下反射镜反射率99%。 设计合适的光波导，可得到TEM00模和圆形光束，利于与光纤耦合；有源区直径可小到2um，非常适合大面积二维列阵集成，有望用作光互连和光计算机。 有源区是多量子阱结构：动态单纵模特性好，体积小，仅是F-P的千分之一，阈值电流可小于1uA 微腔LD 微腔LD的谐振器长为波长数量级，可获得低阈值高效率稳定的单模输出，甚至可以实现无阈值激射。 有效的自发辐射与总的自发辐射之比 变大，接近1甚至达到1。 微腔还会缩短自发辐射光子的寿命，可获得超高响应速度，100Gb/s。 进入超大规模集成光路的微光子时代。 高速宽带LD 第一代用掩埋异质结构（BH); 第二代用分布反馈结构（DFB)或DFB与量子阱结合的结构； 第三代用应变量子阱（SL-QW）结构。 应变量子阱LD是在晶格常数明显不同于外延的衬底上生长的量子阱。这种晶格失配将产生内在应变，内在应变决定了材料的能带结构，导致一系列参数的改善，如微分增益的提高、频率啾啾的抑制以及调制频率已达30GHZ以上。 GaAlAs/GaAs LD: 改变Al含量可改变发射波长。波长范围0.75-0.95um。0.85umLD用于短距离光纤通信，0.81um用于激光医疗。 InGaAsP/InP LD: 1.0-1.7um，改变InGaAsP中各元素充分可改变发光波长。 InGaAs/InAsP LD: 1.06-1.7um GaAsSb/GaAlAsB LD:0.87-1.68um 可用于1.3、1.55um长波长光纤通信系统。 开发短波长LD用于光存储光显示： 600nm红光LD，mw级 630nm红光LD，72mw 400nm紫光LD，几十mw,10000h；450nm蓝光，几十mw 有机薄膜材料（聚合物）作LD的有源区，易得到短波长LD，这是目前的研究热点。 用于光通信、光存储、光显示的LD 由于 可调谐LD： 可在较宽的波长范围内连续调谐，在波分复用光交换技术中很重要。 有电调谐和热调谐方式。 大功率LD 用作固体激光器、光纤放大器的泵浦光源；光存储、光印刷光源；激光加工、激光医疗光源 980nm，线性功率输出（CW）490mW。 InGaN/InN,蓝光LD,CW 220mW,最大输出功率达385mW。 产生大功率LD的途径：列阵半导体激光器 ﹡提高单个LD的输出功率； ﹡发展列阵LD:一维LD列阵; 40W ﹡二维LD列阵; 200W ﹡激光棒（脉冲）功率可达几千乃至几万W。 高性能LD组件 适于10Gb/s以上速率的EAM/LD EAM：电吸收调制器。EAM与LD集成，实现光调制，-3dB带宽为14GHZ。 波长可选择的光电集成回路（OEIC）组件 含有EAM、半导体光放大器（SOA）、合波器(MMI）、8路微列阵DFB激光器，波长选择范围达45nm。 1.53～1.61μm范围的多波长光源 采用电子束曝光技术（EB）和生长有源区和吸收层的窄条形选择的金属有机物气相外延技术（NS-MOVPE),在同一衬底上同时制成40个波长不同的DFB LD，波长等间隔、光强大小一致、每个集成一个EAM，适用于DWDM全光网络。600km、2.5GB/s 1.5 光纤激光器 光纤激光器是指用掺稀土元素玻璃光纤作为增益介质的激光器，光纤激光器可在光纤放大器的基础上开发出来。 光纤激光器是在EDFA（掺饵光纤放大器)技术基础上发展起来的技术。早在1961年美国光学公司的E.Snitzer等就在光纤激光器利用进行了开创性的工作，但由于相关条件的限制，其实验进展相对缓慢。而80年代低损耗掺Er光纤的出现，为光纤激光器带来了新的应用前景。 泵浦--激励 激励方式: 光激励、 电激励、 热激励、 化学激励、 核激励 实现粒子数反转的过程