第七章场效应管及其基本放大电路.pptxVIP

第七章 场效应管及其基本放大电路 第七章 场效应管及其基本放大电路 7.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管7.2 结型场效应管（JFET）7.3 场效应管的主要参数及其各种FET的特性比较7.4 场效应管放大电路第七章 场效应管及其基本放大电路 场效应晶体管(FET)：利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）即绝缘栅型场效应管（MOS管）FET分类结型场效应管（JFET）单极型晶体管—仅靠半导体中的多数载流子导电FET特点噪声小、抗辐射能力强、低电压工作、低能耗 场效应管具有制造工艺简单、占用芯片面积小、器件特性便于控制等特点，从而可以用于制造高密度的超大规模集成电路。 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的：e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的：截止区、放大区、饱和区。7.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 绝缘栅型场效应管MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道铝电极7.1.1 增强型MOS管1. 结构（N沟道）高掺杂耗尽层N沟道增强型MOS管 1. 结构图中衬底箭头方向是PN结正偏时的正向电流方向 剖面图2.工作原理大到一定值才开启(1) uDS=0时，uGS对导电沟道的影响反型层空穴 uGS