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物理
1.1库仑定律:
1.2电场强度:(该式适用于所有电场)
1.3点电荷的场强:(电场只与r和源电荷q有关)若q0,电场方向由点电
荷沿径向指向四方;若q0,则反向,即点电荷的电场具有球对称性。(E
与成反比,与q成正比)
1.4电荷连续分布带电体的场强:(五步:建立坐标系、取电荷元、
写,分解,积分)
注意对称性 !多看题练习册p64.12书p9p10
1.5 电通量:通过电场中的某一个面的电场线数 目,叫做通过该面的电
场强度通量
通过与场强垂直的单位面积上的电场线数等于场强的大小
(为平面法线与场强夹角)
非均匀电场的任意曲面:
1.6高斯定理:电场穿过一闭合曲面(高斯面)的电通量等于该面内包围的
净电荷电量的代数和除以
(通过闭合面的电通量,仅与闭合面所包围的电荷有关,与闭合面外的
电荷无关)高斯定理表明了电场线起始于正电荷,终止与负电荷,即静
电场为有源场。
A. 均匀带点球壳内外的电场
对于球壳外高斯面所包围的电荷为=
对于球壳内高斯面所包围的电荷为0=E=0(均匀带点球面内的场强处处
为零)
B.无限长均匀带电直线的电场 电荷线密度(单位长度上的电荷)为
高斯面的上下底面的法线方向与电场强度方向垂直,所以通过
两底面的通量为零
C.无限大均匀带电平面的电场 ( 电荷面密度为,底面面积为)
由于场强与侧面的法线垂直,所以通过侧面的电通量为
零。通过两个底面的电通量均为,整个高斯面的电通量为
1.7 电势
在静电场中,场强沿任意闭合路径的线积分等于零,即表明静电场为保
守场,电场线是不闭合的。
1.7.1电势能 电场力做功
电势:在电场中任一点P的单位电荷的电势能叫做该点的电势,用表
示。
电势与电势零点的选取有关,若电荷分布在有限空间内,通常选取无限
远处作为电势的零点,即可得
电势差:任意两点P,Q间的电势差,在数值上等于单位点电荷从P点沿任
意路径移到Q点的过程中静电场力所做的功。
1.7.2 电势的计算
A. 点电荷引起的电势 带正电的q的点电荷r处的一点P
B.点电荷系引起的电势 看题书P21 22 练习册p69
2.1毕奥萨伐尔定律
是Idl与r 之间的夹角
方向为:由Idl经小于180度角转向r的右手螺旋的旋进方向
A. 直线电流的磁场
(1) 无限长直导线 (a为距离导线的距离)
(2) 半无限长直导线,对于其端点一侧的P:
(3) 在长直导线上或其延长线上
B.圆形电流轴线上的磁场
求轴线上一点P的磁感应强度
(1)若x=0,得到圆心O处的磁感应强度为如果由N匝圆线圈组成
(2)一段圆弧在圆心处产生的磁场(a为对圆心的张角)P56
2.2磁场的高斯定律和安培环路定理
2.2.1磁通量:磁场中,通过一给定曲面的磁力线数 目,称为通过该曲面的
磁通量。
注意:①穿入闭合曲面的磁感应条数必等于穿出的磁感应条数
②通过任一闭合曲面的磁通量等于零③一根磁感应线可以完全处于闭
合曲面内
④磁感应线是闭合的,无起点无终点⑤磁场为无源场
2.2.2高斯定律
由于磁力线是闭合曲线,因此通过任一闭合曲面磁通量的代数和(净通
量)必为零,亦即
对任意磁场均适用
2.2.3安培环路定理
表述为:在真空中,磁感应强度B沿任何闭合路径l的线积分(亦称B的环
流)等于该闭合路径l所包围的电流强度的代数和的倍。
(该式不代表磁场力的功,仅是磁场与电流的关系)
对于被包围的电流的代数正负号可由右手螺旋法则确定,即顺着回路卷
曲右手四指指向积分方向,沿着大拇指的方向穿过回路的电流取为正号
2.2.4安培环路定理的应用
1. 长直载流导线附近的磁场
2.
长直载流螺线管的磁场分布
如图,均匀密绕无限长直螺线管通有电流为I,单位长度匝数为n)
对于管外任一点,过该点作一与螺线环同轴的圆周l1或l2为闭合路径,由
于这时SI 内=0,所以有 B=0 (在螺线环外)可见,螺线环的磁场集中在
环内,环外无磁场。
2.3磁场对运动电荷的作用力—洛仑兹力
一个电荷q在磁场中以速度运动时,该电荷所受的磁场力(也称为洛仑兹
力)为
大小:方向:若q0,则的方向与的方向相同; 若q0,方向相反
与垂直
2.4霍尔效应及其应用
2.4.1霍尔效应:在一个通有电流的导体(或半导体)板上,若垂直于板面
施加一磁场,则在与电流和磁场都垂直的方向上,板面两侧会出现微弱
电势差 原理:洛伦兹力使电子偏转
2.4.2区分半导体材料
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