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GB/T 1551(代替GB/T 1551-2009)硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法.pdf 24页

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ICS 77.040 H21 中华人民共和国国家标准 GB/T 1551—XXXX 代替 GB/T1551-2009 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon with an in-line four-point probe and a direct current two-point probe XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX 实施 GB/T 1551—XXXX 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》。本标准与GB/T 1551-2009相比,主要变动 如下: --修改了两种测试方法的环境温度条件为23℃5℃; --修改了两种测试方法的干扰因素,将测试在暗室进行改为测试尽量在光线较暗的环境或遮光罩中 进行; --方法1直排四探针法硅单晶电阻率范围按P型和N型分别规定; --方法1直排四探针法中增加了引用标准; --方法1直流四探针法中增加了干扰因素; --方法1直排四探针法中增加了对使用试剂的要求; --方法1直排四探针法7.1.1中增加了探针的形状; --方法1直流四探针法中细化了超声清洗步骤; --方法1直排四探针法7.2.4中标准电阻范围0.01~100000,修正为0.01~10000; --方法1直排四探针法9.1.6.1中r值以100Ω 为界限分别界定; --方法1直排四探针法表2中增加了大于3000 ·cm电阻率硅试样所需要的电流值; --方法2直流两探针法中增加了干扰因素。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化 技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位: 本标准主要起草人: 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ——GB 1551-1979 、GB 1552-1979、GB 5251-1985、GB 5253-1985、GB 6615-1986; GB/T 1551-1995、GB/T 1552-1995、GB/T 1551-2009。 I GB/T 1551—XXXX 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 1 范围 本方法规定了用直排四探针法和直流两探针法测量硅单晶电阻率的方法。 -3 3 直排四探针法可测定的P型硅单晶电阻率范围为110  ·cm~210  ·cm,N型硅单晶电阻率范 -3 3 围为110  ·cm~610  ·cm。 直流两探针法适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率。本方法测量硅单晶电阻 -3 4 率的范围为10 ~10 .cm,试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3:1 。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的

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