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5.4数据存储器的扩展 5.4.1随机存储器概述 数据存储器就是随机存储器,简称RAM(RAM:Random Access Memory)。与ROM不同,对RAM可以进行读写两种操作。 按半导体工艺,RAM分为MOS型和双极型。MOS型集成度高,功耗低,价格便宜,但速度较慢。而双极型则正好相反。在单片机系统中使用的大多数是MOS型的RAM,它们的输入输出信号能与TTL相兼容,因此在扩展中信号连接是很方便的。 按工作方式,RAM分为静态(SRAM)和动态(DRAM)。静态RAM只要加上电源,所存信息就能可靠保存。而动态RAM使用的是动态存储单元,需要不断进行刷新以便周期性地再生,才能保存信息。动态RAM集成密度大、功耗低、价格便宜,但需增加刷新电路,因此只适用于较大的系统,而在单片机系统中很少使用。 按扩展方式,RAM分为并行RAMRAM。 5.4.2片外数据存储器扩展时的总线功能和读、写操作时序 80C51单片机,对片外数据存储器读、写操作的指令有以下四条: MOVX A, @Ri; 片外RAM→(A),读( /RD)操作 MOVX @Ri, A; (A)→片外RAM,写(/WR)操作 这组指令由于@Ri只能提供8位地址,因此,仅能直接扩展256个字节的片外RAM。 MOVX A, @DPTR ; 片外RAM→(A),读操作 MOVX @DPTR, A ; (A)→片外RAM,写操作 这组指令由于@DPTR能提供16位地址,因此,可以扩展 64 KB的片外 RAM。 这四条指令都是双机器周期指令。 “MOVX A,@DPTR”和“MOVX @DPTR,A”的操作时序见图所示。 从图中可以看出,执行该组指令时,机器周期1为取指周期,在取指周期的S5状态时,ALE的下降沿,在P0总线上出现的是数据存储器的低8位地址,即DPL;在P2口上出现的是数据存储器的高8位地,即DPH。 取指操作之后,直至机器周期2的S3状态之前,/PSEN一直维持高电平。而在机器周期2的S1与S2状态之间的ALE不再出现。 执行“MOVX A,@DPTR”时,从机器周期2开始到S3状态,/RD出现低电平。此时允许将片外数据存储器的数据送上P0口,在/RD的上升沿将数据读入累加器A。数据为输入。执行“MOVX @DPTR,A”时,从机器周期2开始到S3状态,/WR出现低电平。此时P0口上将送出累加器A的数据,在/WR的上升沿将数据写入片外数据存储器中。数据为输出。 图 “MOVX A,@DPTR” 和“MOVX @DPTR,A” 指令操作时序 总之,此时P0口为地址、数据复用总线;P2口在机器周期1的S4状态之后出现锁存的高8位地址(DPH);用控制线来控制数据总线上的数据传输方向:/RD有效时数据为输入,/WR有效时数据为输出。 5.4.3数据存储器扩展用典型芯片 数据存储器扩展常用随机存储器芯片,用的较多的是Intel的6116(2K×8)、6264(8K×8) 、62128(16K×8 、62256(32K×8) 、62512(64K×8)等型号,它们都是SRAM,CMOS工艺,因此具有低功耗的特点。在维持状态下只需几个微安电流,很适宜作需断电保护或需长期低功耗状态下工作的存储器。另外EEPROM除可用作程序存储器扩展外,还可作为数据存储器扩展。 6116 SRAM引脚见教材P127图5.10(P127图6.8)所示,说明如下: A10~A0:地址线 /WE:写选通信号 D7~D0:数据线 /CE:片选信号 /OE:数据输出允许信号 6116共有四种工作方式:未选中、禁止、读出、写入(见教材P127表5-4/表6.2)。 5.4.4数据存储器扩展举例 在80C51的扩展系统中,片外数据存储器一般由随机存取存储器组成,最大可扩展64KB。数据存储器扩展与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相同的。所不同的只在于控制信号,程序存储器使用/PSEN作为读选通信号,而数据存储器则使用/RD和/WR分别作为读、写选通信号 1、单片数据存储器扩展 例:见图所示(或见教材P127图5.11/图6.9)。这里使用了一片6116实现了2KB RAM扩展。在扩展连接中,以/RD信号接芯片的/OE端,以/WR信号接/WE端,进行RAM芯片的读写控制。由于假定系统只有一片6116,因此没有使用片选信号,而把/CE端直接接地。这种情况下,6116的地址
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