2-2二极管的伏安特性.pdf

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2020-04-07 发布于中国
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二极管的伏安特性及电流方程二极管的伏安特性及电流方程二极管的电流与其端电压的关系 i f (u) 称为伏安特性。 R iD (mA) 15 A iD 10 5 D V vD -30 -10 uD (V) 0 0.4 0.6 0.8 -10 -30 非线性 (A) 硅二极管2CP10的伏安特性二极管的伏安特性及电流方程（1 ）工作区的划分 iD (mA) 当外加正向电压很低时，由于外电场还 15 不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动 10 死区的阻力，故正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区。 5 -30 -10 uD (V) 0 0.4 0.6 0.8 -10 材料开启电压硅Si 0.5V -30 开启电压Uth 锗Ge 0.1V (A) 二极管的伏安特性及电流方程（1 ）工作区的划分 iD (mA) 外加正向电压超过死区电压时，内电场导通区 15 大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。电压再继续增加时，电流迅速 10 增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二 5