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半导体物理是研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科。是固体物理学的一个分支。研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础，主要研究半导体的晶体结构、晶体生长，以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。
第5 章硅外延生长
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
第5章 硅外延生长
5-1、外延生长概述
5-2 、硅衬底制备
5-3 、硅的气相外延生长
5-4 、硅外延层电阻率的控制
5-5、硅外延层的缺陷
5-6、硅的异质外延
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
5-1、外延生长概述
外延生长的定义
外延生长的分类
发展外延生长的动机
外延生长的特点及要求
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
外延的定义
在一定条件下，通过一定方法获得所需原子，并
使这些原子有规则地排列在衬底上；
在排列时控制有关工艺条件，使排列的结果形成
具有一定导电类型、一定电阻率、一定厚度的晶格
完美的新单晶层 （0.5~20mm ）的生成过程。
在一定条件下，在单晶衬底上生长一层合乎要求
的单晶层的方法。
Epitaxy 外延层
epi: upon
taxy: orderly, arranged 衬底
新生单晶层按衬底晶相延伸生长，称为外延层。
长了外延层的衬底称为外延片。
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
外延生长分类
衬底类型 生长方法 相变过程
同质外延 直接外延 气相外延
异质外延 间接外延 液相外延
固相外延
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
同质、异质外延
外延层与衬底为同种材料：Si-Si, GaAs-GaAs
外延层和衬底为不同种材料：Si-Sapphire, GaAlAs-GaAs
失配位错 应变
外延层
衬底
同质外延 异质外延
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
直接外延
加热 电子轰击 外加电场
直接外延是用加热、电子轰
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