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第六章 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）;一、化学气相沉积的基本原理;一、化学气相沉积的基本原理;表2.4 CVD和PVD方法的比较; CVD的化学反应热力学;? G r与反应系统的化学平衡常数有关 K P;?化学气相沉积的基本原理; CVD的化学反应热力学; CVD法制备薄膜过程描述;?常见的几种CVD反应;?常见的几种CVD反应;热分解反应（吸热反应）;化学合成反应; 这种反应发生在基片表面上，反应气体和基片材料发生化学反应生成薄膜。典型的反应是钨的氟化物与硅。在硅表面上如下反应，钨被硅置换，沉积在硅片上??这时如有氢存在，反应也包含有被氢还原： ;化学输运反应;?化学气相沉积的基本原理;?化学气相沉积的基本原理;化学气相沉积技术的优点;用于CVD化学反应的几种类型;（1）热分解反应;（2）还原反应 a.氢还原反应;（b）由金属产生的还原反应;（3）氧化反应、氮化反应、碳化反应制备氧化物、氮化物、碳化物;（4）由基片产生的还原反应;（5）化学输送反应;（6）复杂化学反应;二、 化学气相沉积的类型;三、CVD的工艺方法及特点;;图2.6为几种CVD反应器示意图
(a) 立式开管CVD装置；
(b) 转筒式开管CVD装置；
(c) 卧式开管CVD装置；
（d）闭管CVD装置
; 开管系统一般由反应器、气体净化系统、气体计量控制、排气系统及尾气处理等几部分组成。
其主要特点是能连续地供气和排气，整个沉积过程气相副产物不断被排出，有利于沉积薄膜的形成；而且工艺易于控制，成膜厚度均匀，重现性好，工件容易取放，同一装置可反复使用。
开管法通常在常压下进行，但也可在真空下进行。
;闭管反应器使源物质端处于高温区，生长端位于低温区，在精确控制的温度范围内进行化学输运反应沉积。
闭管法的优点是反应物与生成物不会被污染，不必连续抽气就可以保持反应器内的真空，对于必须在真空条件进行的沉积十分方便。
但其缺点是沉积速率慢，不适于批量生产，且反应管（一般为高纯石英管）只能使用一次，生产成本高。 ;（2）源物质的确定;（3）重要的工艺参数;四、CVD工艺的特点和应用;四、CVD工艺的特点和应用
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