《电工电子技术》全套课件第5章常用半导体器件培训资料.pptVIP

5.1 PN结及其单向导电性;本章学习目标理解电子和空穴两种;5.1 PN结及其单向导电性;1. 本征半导体GeSi本征半;共价键中的两个电子被紧紧束缚在;3）在绝对0度和没有外界激发时;在其它力的作用下，空穴吸引临近;可见因热激发而出现的自由电子和;本征半导体的导电机理本征半导体;2. 杂质半导体杂质半导体使某;+4+4+5+4N型半导体多余;2）P型半导体在硅或锗晶体（四;归纳3、杂质半导体中起导电作用;杂质半导体的示意表示法－－－－;5.1.2 PN 结的形成在;P型半导体－－－－－－－－－－;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加;漂移运动P型半导体－－－－－－;－－－－－－－－－－－－－－－;1） PN结加正向电压时的导;2. PN结加反向电压时的导;?空间电荷区中没有载流子。?空;5.1.3 PN结的单向导电;PN结正向偏置－－－－++++;PN结反向偏置－－－－++++;PN结的单向导电性正向特性反向;5.2 半导体二极管5.2.1;半导体二极管;半导体二极管;半导体二极管;5.2.2 伏安特性UI死区;5.2.3 主要参数1.最大整;1. 理想二极管U 0，VD;2.二极管的应用电路如图示：已;RRLuiuRuotttuiu;电路如图示：已知 VA=3VV;5.3 稳压二极管UIUZIZ;3.主要参数1）稳定电压 UZ;4.稳压管与二极管的主要区别稳;稳压二极管在工作时应反接，并串;已知图示电路中，UZ=6V，最;5. 4 半导体三极管5.4.;基区：较薄，掺杂浓度低集电区：;BEC基极发射极集电极NNP发;1. 放大状态BECNNPEB;进入P区的电子少部分与基区的空;从基区扩散来的电子作为集电结的;IC与IB之比称为电流放大倍数;BECIBIEICNPN型三极;2. 饱和状态当三极管的UCE;5.3.4 三极管的特性曲线;死区电压，硅管0.5V，锗管0;（2）输出特性IC(mA );IC(mA )1234UCE;IC(mA )1234UCE;特性归纳输入特性同二极管的正向;IC(mA )1234UCE;5.4.4 主要参数直流电流放;2.集-射极反向截止电流ICE;3.集电极最大电流ICM集电极;5.集-射极反向击穿电压当集-;ICUCEICUCE=PCMI;5.5 绝缘栅型场效应管场效;5.5.1 基本结构和工作原;N沟道耗尽型预埋了导电沟道 G;GSDP沟道增强型NPPGSD;P沟道耗尽型GSD预埋了导电沟;2. MOS管的工作原理以N沟;PNNGSDUDSUGSUGS;PNNGSDUDSUGSUGS;PNNGSDUDSUGSUGS;5.5.2 增强型N沟道MOS;当栅源间电压UGS ? UTH;?耗尽型N沟道MOS管的特性曲;输出特性曲线IDU DS0UG;P沟道绝缘栅场效应管的工作原理;5.6 光电器件1.发光二极;注意：光电二极管工作在反向状态;注意：光电三极管工作时，发射结;特点：输入输出电气隔离，抗干扰;第5章小结提纲一、PN结的单向;六、光电器件特点、应用七、集成