LED半导体照明衬底类型及其测量技术.docVIP

LED半导体照明衬底类型及其测量技术 自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光LED以来,基于GaN基蓝光LED和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光LED的光效已经超过150 lm/W,而实验室水平已经超过了200 lm/W,远远高于传统白炽灯(15 lm/W和荧光灯(80 lm/W的水平。从市场看,LED已经广泛应用于显示屏、液晶背光源、交通指示灯、室外照明等领域,并已经开始向室内照明、汽车灯、舞台灯光、特种照明等市场渗透,未来有望全面替换传统光源。 半导体照明光源的质量和LED芯片的质量息息相关。进一步提高LED的光效(尤其是大功率工作下的光效、可靠性、寿命是LED材料和芯片技术发展的目标。 LED半导体衬底分类 (1图形衬底 衬底是支撑外延薄膜的基底,由于缺乏同质衬底,GaN基LED一般生长在蓝宝石、SiC、Si等异质衬底之上。发展至今,蓝宝石已经成为性价比最高的衬底,使用最为广泛。由于GaN的折射率比蓝宝石高,为了减少从LED出射的光在衬底界面的全发射,目前正装芯片一般都在图形衬底上进行材料外延以提高光的散射。常见的图形衬底图案一般是按六边形密排的尺寸为微米量级的圆锥阵列,可以将LED的光提取效率提高至60%以上。同时也有研究表明,利用图形衬底并结合一定的生长工艺可以控制GaN中位错的延伸方向从而有效降低Ga