半导体的原子基本模型是由电子、中子、质子所组成.docVIP

半導體的原子基本模型是由電子、中子、質子所組成。 原子序可用來表示原子的電子數，即原子序=電子數=質子數。 EX： 電子軌道 原子的內部是以原子核為中心，其軌道是由電子所排列所構成，由低能量的內層依次向外排列，形成K、L、M、N等主殼層，每一個主殼層所含的最大電子數個。 ：表示第幾層數 每一個主殼層中之電子數可在細分為s、p、d、f四個副層，其所含最多電子數，分別為s=2、p=6、d=10、f=14。 元素 原子序 電子分佈 碳(C) 6 、、 價電子數：4 矽(Si） 14 、、、、 價電子數：4 鍺(Ge） 32 、、、、、、、 價電子數：4 錫(Sn） 50 、、、、、、、、、、 此時，在最外層的電子我們又稱為價電子，即最外層的電子數數目為價電子數。 重點：矽與鍺的價電子數皆為4個。 因此我們對於價電子的數目的多寡，可分為三個種類 導體：價電子數少於4個，較容易失去電子的原子。 半導體：價電子數等於4個，失去和得到電子的機率是相同的原子。 絕緣體：價電子數大於4個，較不容易失去電子的原子。 當最外層軌道的電子數滿足8個，原子及呈現非常穩定的狀況，即所謂的八隅體學說。 游離：電中性原子失去或是獲得電子而變成離子的過程。 正離子：中性的原子失去電子，而使整個原子成現正電性。 負離子：中性的原子得到電子，而使整個原子成現負電性。 正負離子皆是屬於帶電不導電。 原子能階： 軌道的能階是指使一個電子從軌道中脫離所需的能量。 能帶結構： 能帶：電子所能佔據的能階群 價電帶：正常在原子軌道上，價電子所存在的能帶。此處的價電子有被共價鍵束縛，而無法自行移動。 禁止帶或是能隙：介於傳導帶與價電帶的能階差。 禁帶不允許電子的存在。 註：只要價電帶的電子，吸收到足夠的能量，就可以愈容易跨 過禁止帶成為自由電子。 溫度會與能隙大小成反比，也就是溫度升高電阻愈小導電 性愈好，即為負電阻溫度特性。 傳導帶：脫離原子軌道的電子所佔有的能帶，電子在傳導帶內可以自由移動稱為自由電子。 導體、半導體、絕緣體的區別： 這三種種類區別是以能階的大小來辦別。 絕緣體 半導體 a. 絕對零度()，如同絕緣體。 b. 常溫()，如同半導體。 導 體 本質與外質半導體： 主要的半導體材料矽（Ⅳ價）、鍺（Ⅳ價）、砷化鎵（Ⅲ-Ⅴ價）。且砷化鎵目前為最新的熱門半導體材料之一，主要的產品為高功率電晶體、光二極體…等。又砷化鎵的優點：1.電子移動速率為矽的5.7倍，故可以用在高頻元件上，2消耗功率低，3.抗輻射性佳。目前的砷化鎵的技術成熟度不及矽和鍺，所以一般性的產品依然是以矽鍺成料為主。 一、本質半導體： 不摻雜任何物質的半導體材料，稱之為純半導體，又稱本質半導體(intrinsic semicoductor)，特性如下： 1.在，在半導體中，所有的電子和電洞接會停止運動，此時材料特性如同絕緣體。 2.本質半導體中，電子和電洞是成對的出現，也就是電子數目會等於電洞的數目。 3.同時會出現電子流和電洞流，兩者大小相同且方向是相反的。 4.因為自由電子數過少，所以導電性差導致不適用於電子電路中。 5.由於2.中，我們提到電子數等於電洞數，所以在本質半導體中是屬於電中性。 二、外質（雜質）半導體： 為了改善本質半導體的缺點(導電性差)，我們加入其他的雜質來增加導 電性，加入雜質的過程稱之為摻雜(doping)稱之為外質（雜質）半導體， 我們可以藉由摻雜物質的不同，可以決定半導體的特性，以特性可區分為 N型半導體和P型半導體。 ◎N型半導體： 1.若摻雜五價(磷P、砷As、銻Sb)的外質半導體，即為N型半導體。2.因為摻雜之後有多了一個自由電子，所以五價的元素又稱之為施體 (donor)。3.所以在理想的狀況下N型的半導體中，載子只有自由電子，但是因 為熱擾動的問題，造成電子由共價鍵中游離，形成了自由電子，但 也形成了一個電洞，但是電洞的數目依然遠小於電子的數目。所以 我們在N型半導體中，稱自由電子為多數載子，電洞為少數載子。4.整體的電位總和，在N型半導體中，依舊是電中性。 5.摻雜濃度約，也就是矽原子，才加上一個五價的原子。EX：矽原子，摻雜濃度，在一平方釐米下會出現多 少自由電子？SOL：6.質量作用定律(Mass Action Law): ◎P型半導體： 1.若摻雜三價(硼B、鋁Al、鎵Ga、銦In…等)的外質半導體，即為P型 半導體。 2.因為摻雜之後有多了一個電洞，所以三價的元素又稱之為受(donor)。3.