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* 封裝製程補充教材 封裝前段製程 D/S-Die saw D/B-Die bond W/B-Wire bond 封裝前段製程流程 Die Saw (晶片切割) Die Bond (銲粒) Wire Bond (銲線) 封裝製程補充教材 D/S站－ A.作業機台 (1)Disco DAD320/DAD321切割機(圖片) (2)SC-2500自動旋乾機(圖片/影檔) B.作業準備 (1)D.1 water (2)Blue tape(NITTO SPV-225) (3)NBC-Z 2030刀片-切割道寬度＞60um (圖片) (4)NBC-Z 203J刀片-切割道寬度＜60um C.作業順序: (0)D/S前處理-晶片研磨(10~12mil) (1)晶片貼藍膜(離子風扇開啟狀態)(影檔) (2)烘乾50℃/5分鐘(圖片) (3)切割機切割晶片(影檔) (4)清洗及旋乾(自動旋乾機) (影檔) (5)烘乾40℃/5分鐘(圖片) D/B站- A.制程比较(die attach method) (1)共金 (2)导电/非导电胶 (3)共锡 B.吸嘴型式 C.L/F材质 D.D/B作业机台 (1)共金-ILB(圖片/影檔) (2)导电/非导电胶-AD828/AD830/AD898/AD8930 /CPS-100VX(圖片/影檔) (3)共锡-NEC CPS-510/ASM SD890A(圖片/影檔) E.导电性 F.散热性 封裝製程補充教材 封裝製程補充教材 A.製程比較(die attach method) die attach method 共金 導電/非導電膠 共錫 須配合之晶片背材 Au/Ti-Au/Ti-Ni-Au(1um) all backmetal Ti-Ni-Ag 須配合之吸嘴 collet(鎢鋼)/電木(耐高溫) rubber rubber(耐高溫) 適用吸嘴型號 配合die尺寸選用 RR-0X0 NHTR-0X0 L/F材質 SOT-23R鐵材 鍍銀 裸銅/鍍銀/鍍鎳 D/B機軌道加溫 400℃(Scrubbing) 300~400℃(加氫氮混合氣) D/B機軌道特殊要求 軌道加蓋 軌道加蓋 D/B原理 363℃共晶反應 膠黏合 solder熔點305℃ D/B後烘烤 依膠固化條件 作業機台 ILB/TOSOK ASM/NEC ASM/NEC 導電性 佳 差(導電膠) 中 散熱性 佳 差 中 缺點 易裂(L/F與die膨脹係數差異) 同上 vold/小die易傾斜 使用之L/F SOT-23R all package D-PAK SOT-89 TO-220/263 SOT-223 封裝製程補充教材 B.吸嘴型式 W/B站- A.製程比較(wire bond method) B.W/B原理 (1)金/銅線(Thermalsonic) a.FAB b.HAZ c.IMC d.Fusing Current (2)鋁線(Ultrosonic) a.Fusing Current C.瓷嘴/鋼嘴型式 D.wire bonder架構 E.W/B作業機台(圖片/影檔) F.金/銅/鋁物理特性 G.金線與銅線製程異同 H.銅線的優點與缺點 封裝製程補充教材 封裝製程補充教材 A.製程比較(wire bond method) 封裝製程補充教材 B.W/B原理 (1)Thermalsonic a. FAB(Free Air Ball) 封裝製程補充教材 Ball forming condition Wire : CD type 1.0mil Wire bonder : SWB 700 Forming gas : N2+5%H2 Tail length : 250 micron.m EFO current(燒球電流) : 6A EFO time (燒球時間) : 1.2msec b.HAZ (Heat Affected Zone) 封裝製程補充教材 HAZ Length = Approx. 120um (Grain Growth Zone) 20um X 2.0K Wire Type : CD Wire Diameter : 1.0mil Etching Condition ? Etchant : 10ml HNO3 + 10ml D.I. Water ? Etching Method : Fuming Method ? Etching Time : 1 ~ 10sec. FAB = 2W.D . (Very Coarse Gr