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磁珠 等效线路：为帮助理解，将磁珠等效为电感L、电阻R和寄生电容C并联。 基本原理：X=R+jX。R代表电阻阻抗，X代表电感感抗。因采用贴片封装，寄生电容C基本可忽略。 低频段：磁珠的阻抗由电感的感抗构成，R很小，铁氧体的磁导率很高，L起主要作用。电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件类似一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振，因而在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。 * 磁珠 高频段：阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小。但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。 * 磁珠 磁珠主要分为三种类型：标准型、高频型、大电流型。 * 共模电感 共模电感是一个以铁氧体为磁芯共模干扰抑制器，它由两个尺寸相同，匝数相同的线圈对称绕制在同一个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，对共模信号呈现大电感具有抑制作用，而对差模信号具体很小的漏电感，几乎不起作用。 * 共模电感 共模电感原理：流过共模电流时，磁环中的磁通互相叠加，从而具有相当大的电感量，对共模电流起到抑制作用，而当线圈中流过差模电流时，磁环中的磁通互相抵消，几乎没有电感量，差模电流无衰减的通过。 * 共模电感 * 磁环 要充分发挥铁氧体磁环的性能，下述注意事项十分重要： A)铁氧体磁环的效果与电路阻抗有关：电路的阻抗越低，则铁氧体磁环的滤波效果越好。铁氧体材料的阻抗越大，滤波效果越好。 B)电流的影响：当穿过铁氧体的导线中流过较大的电流时，滤波器的低频插入损耗会变小，高频插入损耗变化不大。要避免这种情况发生，在电源线上使用时，可以将电源线与电源回流线同时穿过铁氧体。 C)铁氧体材料的选择：根据要抑制干扰的频率不同，选择不同磁导率的铁氧体材料。铁氧体材料的磁导率越高，低频的阻抗越大，高频的阻抗越小。 * 磁环 D)铁氧体磁环尺寸的确定：磁环的内外径差越大，轴向越长，阻抗越大。但内径一定要包紧导线。因此，要获得大的衰减，在铁氧体磁环内径包紧导线的前提下，尽量使用体积较大的磁环。 E)共模扼流圈的匝数：增加穿过磁环匝数可以增加低频的阻抗，但是由于寄生电容增加，高频的阻抗会减小。盲目增加匝数来增加衰减量是一个常见的错误。当需要抑制的干扰频带较宽时，可在两个磁环上绕不同的匝数。 F)电缆上铁氧体磁环的个数：增加电缆上铁氧体磁环的个数，可以增加低频的阻抗，但高频的阻抗会减小。这是因为寄生电容增加的缘故。 * 压敏电阻 压敏电阻----当静电产生并通过I/O或金属端子进入电子产品时，将瞬间产生的高压电流经由Varistor从被保护线路引开到地(Ground)。 Varistor在线路板上与被保护线路并联，当瞬间电压超过某一数值时，Varistor便产生雪崩，形成超低阻抗通路，电流则通过Varistor导到地(Ground)宣泄掉，并且回路一直保持箝位电压。当瞬间脉冲结束以后，Varistor自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。 * 压敏电阻----主要参数与选用 VRMW反向峰值电压：指通过1mA直流电流时压敏电阻器两端的电压值。压敏电阻常与被保护器件并联使用，在正常情况下，压敏电阻两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况最坏时，也不应高于额定值于选择的最大连续工作电压。选用：稍高于并联的线路工作电压即可。 VBR反向击穿电压：指在直流电流It的条件下，测得到反向电压值，表明从此点开始器件进入反向雪崩击穿。 Vc箝位电压：指当被保护的线路出现高压电流将压敏电阻反向击穿时，线路两端的电压会被箝位在某一数值。选用：依设计而定，箝位电压越高，压敏电阻自身消耗的静电能量越多；箝位电压越低，则经压敏电阻渲泄掉的静电能量越多。 结电容Cj：指压敏电阻器本身固有的电容量。选用：依设计而定。 * TVS管 TVS管的应用原理、主要参数及选用与压敏电阻基本相同。TVS管的性能更好，主要表现为响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压小、无损坏极限、体积小，但价格较贵。 需提醒注意，不同的厂商对TVS 钳位电压的标注方式不同，有部分厂商不会给出钳位电压值，而是给出Ppp最大峰值功率和Ipp最大峰值电流，Ppp=Vc * Ipp。 * 压敏电阻与TVS比较 * 关键参数与极限值 TVS 压敏电阻 反应速度 10-12S 5x10-8S 是否老化现象 否 有 最高使用温度 175oC 125oC 反向漏电流典型值 5uA 200uA 箝位因子 <1.5 <7~8 密封性质 密封不透气 透气 价格 较贵 便宜 EMC整改对策与PCB设计原则简介 滤波 屏蔽 PCB设计原则简介 ESD设计