磁导率初始磁导率(最新版).doc

精品 磁导率 初始磁导率 如果没有别的因素限制， 那么磁导率肯定越高越好。 磁导率高， 意味着所需要的线圈圈数可以很 少，变压器和电感器的体积可以很小。 但现实是：磁导率越高，磁感应强度越高，而磁芯材料所能工作的磁感应强度范围是有限的， 所 以有时候我们不得不设法减小有效磁导率，以避免磁芯饱和 AC 滤波器的选择就灵活了 .流过电 流通常不大 ,没那么多要求 ,磁导率可以在 10-12K 都 OK. 相同的磁密 , 储能密度与磁导率呈反比 , 电感如果是储能用 , 那么就选低 u 的. 如果是作磁放 , 那得选高 u 矩磁. 变压器 , 原则上磁导率用大些 , 以利于减小励磁电流 , 励磁电流分量并不能传递到次级 , 因此要 越小越好 . 但是也不是盲目的大 , 太大也不好 , 如磁集成 LLC 便需要具有相当大的励磁电流 . 要 求磁导率适中 选用较高磁导率的铁氧体磁芯， 磁感应强度就会越大， 这样所要求的线圈匝数就会越小， 变压器 体积就会相对更小。 磁导率高了，同样的电感量可以用更小的磁芯；但是，更容易饱和。 所以，要计算 选择高μ值的铁氧体，绕制匝数可能会少点，但是得注意电感量以及饱和问题。如果对质量因素 有要求的话，绕线匝数也不是越少越好。 μ高的材料在同样尺寸、同样匝数的情况下，肯定电感量大。电感量大在大电流的情况下，反向 电压就高，磁通密度也就上升了，磁心就容易饱和了 感谢下载载 精品 软磁材料为什么磁导率越高，能量存储越小 E=VB 2/2u E=uH 2/2 容量总会有限，导磁率高，励磁功率就小，用来做变压器是很好的，但作电流泵（ flyback ）用 就不太适合了。 几句话讲明白，电感的能量为什么绝大部分存在气隙中？ 电路 磁路 电动势 磁动势 电阻 磁阻 电流 磁通量 的砖不但引出来很多玉，最后还能引出相声段子。百家争鸣的确好，各抒己见，越辩越明。 73 楼 greendot 给出的式子很好，相当有说服力，为了更清楚明白的表示，我又更调理的写出 来了，如下 感谢下载载 精品 最后一项左侧是磁芯的，右侧是气隙的能量，很明显，只要 lg>>MPL/ur ，那么绝大部分能量 是在气隙中的。 这样说好象不是很严谨， 根据 H = B/u 可以看出， u 越小磁场强度 H 越强， 而磁芯存储的能量与 H 成正比，所以说气隙存储了大部分的能量 再引申下，如何从物理的直观来理解？ 磁路和电路时可以类比的，不妨在这里列出来 电路 磁路 电动势 磁动势 电阻 磁阻 电流 磁通量 感谢下载载 精品 电路中 V=R*I 磁路中， MMF = Rm* Φ 我们有个共识，就是电阻串联电路中， 电阻越大，那它消耗的能量也就越大， 当然是相比与跟其 串联的电阻。 那在磁路中，同样的适用，就是磁阻越大，其上的能量也就越大。 磁阻=l( 长度)/(ur*u0*Ac) 一般情况下，气隙的磁阻 >> 磁芯的磁阻，所以其上的能量也就越大，所以电感的能量绝大部分 存在气隙中。 整个磁路 H 的值是一样的，不同的是 B 值。 能量大小可以用 B-H 围成的面积来表征 ，气息和磁芯是串联，因此磁通密度一样（姑且）。 相同的 delta B, 对应了更多的 delta H （气息的 u 比磁芯的 u 要小） 。因此磁场能量几乎都集 中在气息这里。这样理解是否正确呢？（这是我以前的理解） 加气隙拉扁磁滞回线可以让磁芯的饱和 H 值大一些，自然就会提高存储能量的能力，至于磁能 为什么大部分存在于气隙中，我觉得 36 楼的解释也差不多，可以作为一种形象的理解，气隙的 磁阻大，等效磁路长，自然存储的能量就大了。 公式变型为： W=VB 2/2u ，似乎更为直观一点 V 体积， B 磁通密度， u 磁导率， 个人理解，气隙类似于电容中的绝缘体，磁性材料类似于导体，磁场类似于电场。 如果没有气隙，相当于把电容两端短路了。 所以气隙既不存储能量也不传递能量，气隙的作用就是让磁场保持势能。 感谢下载载 精品 以上只是类比，磁和电区别还是很大的。 我的理解是气隙并不能存储能量，毫无疑问，能量肯定是存储在磁芯中的。 从 B/F 曲线上可以看到，加气隙之后，磁芯允许电流的能量增加了，所以磁芯在不饱和的前提 下，能承受更大的电流，因此，存储的能量就大了。 气隙长度远小于端面边长的时候，可近似认为 Ae=Ag ，那么电感 L=Ae/ （le/u+lg/u0 ）。在合 适的工作频率下，铁氧体 u 在 2000u0 以上，铁粉心、非晶等磁芯的有效磁导率更高。那么只 要 2000lg> le ，气隙里储存的能量就大于磁芯了， 如果气隙长度和端面边长差距不太大的时候， 考虑边沿磁通，储存在气隙周围的能量就更大了 能量：P=VB2/2u ，磁通穿过磁芯和中间的气隙，如果忽略边沿磁通，则