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《IC封装设计与仿真》 内容 1.IC封装设计 2.封装电磁仿真 3.封装热仿真 4.封装结构仿真 1.IC封装设计 IC封装设计 IC封装内部结构： Pin脚 塑封 晶体 芯片 金线 RLC元件 基板 IC封装设计 IC封装发展趋势： 芯片封装发展四阶段： 第一阶段，20世纪80年代前，以插装型为主； 第二阶段，20世纪80年代后，以表面安装类型的四边引线封装为主； 第三阶段，20世纪90年代后，以面阵列封装形式为主； 第四阶段，21世纪，3D封装为主。 趋势：高集成度，高速，低 功耗，小型化。 IC封装设计 IC封装工艺(sip)：SMT，DA，WB，Mold IC封装设计 Substrate加工工艺：HDI，Buiding up 绿油 金层 镍层 铜层 通孔 介电层 埋孔 盲孔 内层线路 Substrate结构 IC封装设计 Substrate加工工艺： IC封装设计 Substrate：板材 介电系数， 正切损耗角， 导热系数， 热膨胀系数， 绿色材料， 价格因素。 IC封装设计 Substrate加工工艺：Surface Finish IC封装设计 Assembly Design Rule：SMT，DA，WB，Mold。 IC封装设计 Substrate Design Rule：Trace width，Spacing IC封装设计 Sip封装设计： 规则驱动设计 IC封装设计 能为您提供的设计：BGA，LGA，Sip… IC封装设计 设计实例：LGA（SMT+FC） WIFI IC封装设计 设计实例：LGA（SMT+WB） BlueTooth IC封装设计 设计实例：BGA（SMT+Stacked 3 WB die) CMMB sip 2.IC封装电磁仿真 封装电磁仿真 IC封装前仿和后仿的PI/SI/EMC分析: 1.直流压降–仿真直流压降，电流密度分布，功率密度分布，电阻网络 2.电源完整性–分析电源分配系统的性能，评估不同的叠层，电容容值选择和放置方法，最佳性价比优 化去耦电容 3.信号完整性–分析信号回流路径的不连续性，分析串扰和SSN/SSO，分析信号延迟，畸变，抖动和眼图 4. 电磁兼容–分析电磁干扰和辐射 5.宽带模型抽取–提取电源分配网络的精确宽带模型，信号和电源/地模型 封装电磁仿真 封装电磁仿真 PDS模型: 1. 片内电路信息（需要IC设计者提供RTL级信息以及相应的测试向量） 2. 片内去耦电容信息（IC设计者提供信息） 3. 片上电源地网格信息（IC设计者提供GDS格式信息） 4. 封装电源地信息和去耦电容信息 5. PCB上core电源地结构信息以及去耦电容信息 6. VRM 封装电磁仿真 PDS:封装级的有效去耦范围: 封装电磁仿真 PDS:封装级的有效去耦范围: 封装电磁仿真 IR drop: 1.确保较低的点对点的电阻： 对于特定的电流负载，较低的电阻意味着较低的直流压降 2.电流的指标： 平面电流密度，保证可靠的热稳定性； 过孔电流，避免连接失败； 3.布局布线、平面分割优化： 电压压降分布、平面电流密度、平面功率密度 封装电磁仿真 PI：频域仿真 提取正封装结构，仿真真 个频域的电源阻抗，优化电容 数量和组合，提供最优的去耦 最低成本的电源完整性方案， 并可结合die与PCB做die- Package-PCB真个PDN的仿真。 1.模型提取（Model extraction）,可提取IC封装 或PCB整板信号和电源的频域 阻抗参数和S参数，观测PDS的 谐振特性; 2.谐振点检测（Hot spot detection）,可分析PDS随频 域变化的空间噪声分布和谐振 PKG 点分布; 3.EMC/EMI 辐射仿真 PCB （EMC/EMI simulation）,可 分析整板的远场和近场辐射. 封装电磁仿真 PI：时域仿真 PI时域的仿真，对电源波动更加直观，我们可以提取正封装结构的S参， 或die-Package-PCB整个 PDN 的S参数到仿真器，加载上电流源电压源，仿真时域内电源的波动，并测量是否超限。 封装电磁仿真 EMC/EMI： 2.时域仿真器里加入S参数模型和IO 3.从时域仿真提取激励 1.提取所有IO/Power的S参数 buffer，仿真 4.FFT结果作频变源输入，运行EMI仿真 5.仿真结果辐射远场图以及与EMC规范对比… 封装电磁仿真 Critical Trace： RF 直接从APD/Sip 设计文件提取封装的结 构，包括bond wire， trace，bump,solder ball等，用3D电磁场仿 真软件仿真RF端口的传 输参数并从结构上进行 传输特性的优化。 并可将封装与 PCB结合，提取优化整个 射频通道。 PKG PCB