2011级模电期末复习资料.docVIP

期末模电考试题型及复习题 （1） 选择题8 题，20 空，没空1.5 分，共30 分 （2） 填空题10 空，每空2 分，共20 分 （3） 非客观题 共7 道大题，共50 分 下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。 小题目： 1．NPN 和PNP 型晶体管的区别取决于___D_ A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P 区和N 区的位置不同。 2．N 沟道和P 沟道场效应管的区别在于_C___ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 3. 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__，而多数载流子的浓度 __C__。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小 4. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关 系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度 5. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__；在保持二 极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__。 A、增大 ， B、减小， C、不变 6. 已知二极管的反向击穿电压为300V，当V=100V、温度为20℃时，I＝1μA 。 (1)．当V 降低到50V，则I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (2)．当V 保持100V 不变，温度降低到10℃，则I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA (3)．该二极管在反向电压为200V 的电路中使用是____。 A、安全的， B、不够安全的 答案C|B|B 7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度T1 是大于25℃还是小于25℃？ 答案1．死区电压约为0.2V 反向击穿电压约为70V 反向电流约为5μA 2．T1 大于25℃ 8. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度T1 是大于25℃还是小于25℃？ 答案1． 死区电压约为0.5V 反向击穿电压约为160V 反向电流约为1μA 2．T1 小于25℃ 9. 晶体管的共射交流电流放大系数β定义为_________________与_________________之比， 共基交流电流放大系数α 定义为 ________________与________________之比。已知某晶体 管的α＝0.99，那么该管的β=_______99__________。 答案IC 变化量（或ΔIC） IB 变化量（或ΔIB） IC 变化量（或ΔIC） IE 变化量（或ΔIE） β=α/(1-α)=99 10. 晶体管的共射直流电流放大系数β近似为 ________________电流与_____________电流 之比，共基直流电流放大系数 α 近似为 ________________电流与_______________电流之 比。已知某晶体管的β＝50，那么该管的α=_______0.98_________。 答案 集电极（或IC） 基极（或IB） 集电极（或IC） 发射极（或IE）α=β/(1+β)=0.98 11. 已知某N 沟道结型场效应管的夹断电压Uoff or UP＝-5V。下表给出四种状态下的UGS 和 UDS 的值，判断各状态下管子工作在什么区，用A、B、C 填入表内。 A、恒流区， B、可变电阻区， C、截止区。 状态 1 2 3 4 UGS/V 0 －2 －2 －6 UDS /V 4 4 2 10 工作区 答案 AB A B C UGS UP 沟道全夹断，处于截止区， UP UGS 0，UGDUP 恒流区，饱和区，放大区 UP UGS 0，UGD UP 预夹断，处于可变电阻区， 12. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个内阻等于零的 信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A 的输出电压比B 的大。这说明 A的_______B_______比B的______D__________。 A、输入电阻， B、输出电阻 C、大， D、小 13. 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一个具有内阻的信 号 源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的