ESD保护器件来自第三方资料.doc

4Q 2008 2008年第 4季度 德州仪器 2008年第 4季度 系统级静电放电保护指南 系统级 ESD 保护指南 目录和介绍 介绍 在电路中,静电放电 (ESD很常见,所以 在电路设计中必须要包含能够免于 ESD 影 响的器件。随着系统总线和 I/O总线更多地 在高速模式下工作,设计先进的 ESD 保护 结构也就变得越来越具有挑战性。 传统的 ESD 保护方法包括齐纳二极管、金 属氧化物可变电阻器 (MOV,瞬态电压抑 制二极管 (TVS,常规 CMOS 和双极性钳位 二极管。在更高的数据速率下,这些方法 会引起信号质量的失真和劣化。德州仪器 (TI提供多种应用在高速数据速率下的 ESD 保护方案和易于设计的二极管阵列芯片。 国际电工委员会 (IEC提出电子和电场方面 的标准。 IEC61000-4-2就是一个最常见的 在系统级 ESD 保护电路中广泛应用的 ESD 标准。 IEC 系统级性能要求分为 4级,如下 表所示。第三页之后的表格列出了 TI 公司 所有满足这些性能要求的 ESD 保护器件。 ESD 保护级别 德州仪器 2008年第 4季度 系统级静电放电保护指南 System-Level ESD Protection Guide General-Purpose ESD Protection 通用的 ESD 保护 德州仪器 2008年第 4季度 系统级静电放电保护指南 Texas Instruments 4Q 2008 General-Purpose ESD Protection (Continued ESD 保护器件列表 通用的 ESD 保护 (续 德州仪器 2008年第 4季度 系统级静电放电保护指南 System-Level ESD Protection Guide ESD Protection Device ListHigh-Speed, Ultra-Low Cap, I (Backdrive ESD 保护器件列表 高速、超低电容, Ioff (Backdrive System-Level ESD Protection Guide ESD Protection Devices for HDMI/DVI Video Port TPD12S520 Features r 4JOHMF DIJQ 4% TPMVUJPO GPS %.*r 4VQQPSUT %.* EBUB SBUF r Q VMUSB MPX DBQ GPS * 0r Q NBUDIJOH DBQ CFUXFFO TMDS r *OUFHSBUFE MFWFM TIJGUJOH GPS DPOUSPM pins with additional LV supply r QJO 54401 MFBE GSFF r L7 DPOUBDU EJTDIBSHF r #BDLESJWF QSPUFDUJPO TPD12S521 Features r 4JOHMF DIJQ 4% TPMVUJPO GPS %.*r 4VQQPSUT %.* EBUB SBUF r Q VMUSB MPX DBQ GPS * 0r Q NBUDIJOH DBQ CFUXFFO TMDS r *OUFHSBUFE MFWFM TIJGUJOH GPS DPOUSPM pins with additional LV supply r QJO 54401 MFBE GSFF r L7 DPOUBDU EJTDIBSHF r N 7 PVUQVU GPS TPVSDF TJEF r #BDLESJWF QSPUFDUJPO I off and backdrive protection is very important for any data-cable connection where one side may be in power-on mode while the other is in power-down mode. In this situation, the current flows back to the power-down circuit via the data cable, and the ESD chip must provide the I off and backdrive protection. The TPD12S520 and TPD12S521 both have this feature, so no external diode is needed to block the current. Backdrive Protection TMDS_GND TMDS_CK+TMDS_D2+TMDS_D2–