《半导体物理与器件》第2章PN结机理与特性.pptx

;主要内容;? 采用不同的掺杂工艺，使半导体的一部分成为P型区， 另一部分成为N型区，在P型区和N型区的交界面处就 形成了PN结。 ? PN结不仅是二极管、晶体管及其他结型半导体器件的 最基本单元和最基本的组成部分，而且也是所有半导 体器件的理论基础。 ? 所谓平衡PN结，是指PN结的两端没有外加偏压情况下 的PN结。;1.平衡PN结的机理与特性;PN结的制备与杂质分布;;1.合金法及其杂质分布 ? 合金法制备PN结的基本过程如图所示，首先在N型锗单 晶片上放置一粒铟（In）球，升温逐渐加热到500~600℃， 形成铟锗共熔体。然后再逐渐降温，在降温过程中，锗 便从共熔体中析出，沿着锗片的晶向再结晶，在再结晶 的锗区域中，将含有大量的P型杂质铟，使该区域变成 了P型锗，从而形成了PN结。 ? 由于这种PN结是用合金法制备的，所以称为合金结。;PN结的制备与杂质分布;PN结的制备与杂质分布;;2. 扩散法及其杂质分布 ? 用扩散法制备PN结的基本过程如图，首先在N型（或P型） 硅单晶衬底上通过热氧化工艺，在硅片表面生长一层二 氧化硅薄膜，这层薄膜能起到掩蔽杂质扩散的作用。 ? 利用光刻工艺在SiO2薄膜上刻蚀出供选择扩散的窗口， 然后在高温下进行P型（或N型）杂质扩散而形成PN结。 称该结为扩散结。;扩散结的杂质分布比较复杂，是由扩散过程及杂质补偿来 决定，基本上有两种形式： ? （1）恒定表面源扩散（预沉积）：在一定的温度和气氛控制下， 将适量的杂质引入硅晶片表面沉积一层杂质原子的过程称预沉 积。 ? 在扩散过程中，硅片表面与浓度不变的气体或固体杂质接触， 表面浓度保持恒定，故又称恒定源杂质扩散。该扩散形成的杂 质分布成为余误差函数分布，即;? 式（1）中，N(x,t)表示扩散时间为t , 距晶片表面为 x处的杂质浓度；Ns 为硅片表面的杂质浓度，在扩散 过程中保持不变；erfc是余误差函数的缩写。;? 杂质的具体分布如图中a所示，其中X1、X2、X3代表扩散时间为 t1、t2、 t3时的结深。扩散时间越长，曲线就向上移动，意味着进入硅中的杂质 总量增多。 ? 恒定源扩散其杂质分布特点为：表面杂质浓度较高，而扩散结深较浅。;? （2）有限表面源扩散 （再分布）：沉积在硅片表面的 杂质，在一定的扩散温度和时间的控制下，杂质向硅体 内部再推进的过程称为再分布。在分布过程中，没有外 来杂质补充，只靠预沉积的杂质总量向硅片体内扩散， 故又称限定源扩散。 ? 该扩散形成的杂质分布称为高斯函数分布，即：;（2）;? 随着扩散时间的增加，一方面杂质扩入硅片内部的深度 逐步增大，另一方面硅片表面的浓度将不断地下降，即 表面杂质浓度和扩散结深都随扩散时间而变（扩散温度 一定）。 ? 限定源杂质分布特点为：表面浓度较低，而扩散结较深。 又称为缓变结（与突变结相比）。 ? 缓变结在 X j 处的切线斜率称杂质浓度梯度，用 a j 表示，;? 对于余误差分布;? 在缓变结中，若表面浓度 Ns 较低，结深 X j 较深，在 X j 处的杂质浓度梯度 a j 较小时，结附近的杂质浓度可用 线性分布式近似，即 N (x) ? a j (x ? X j ) ，如图c所示。;;3. 离子注入法及杂质分布 ? 将杂质元素如硼、磷、砷的原子，经过离化变成带电的 杂质离子，然后用强电场加速，获得高能量（几万到几 十万eV）的离子直接射入半导体基片内，经过退火激活， 在体内形成一定杂质浓度分布，同时形成PN结。 ? 离子注入结的杂质分布，在掩蔽膜窗口附近的横向分布 为余误差分布；纵向是以平均投影射程Rp为中心的近似 高斯分布，如前图所示。;4. 外延生长法 ? 外延，是晶体生长的另一种方法。 ? 在一定条件下，原子（如硅原子）有规则地排列在单 晶衬底片上，形成一层具有一定导电类型、电阻率、 厚度及完整晶格结构的单晶层，由于这个新的单晶层 是由原来衬底晶面向外延伸的结果，所以称为外延生 长法，这个新的单晶层叫外延层。 ? 由于外延的种类不同、外延生长的方法不同，其杂质 浓度分布也不同。;采用不同的制备工艺，会得到不同的杂质分布，但 归纳起来，PN结的杂质分布可近似分为两种类型： ? 突变结：以合金结和高表面浓度的浅扩散结为代表的 一类，可近似认为P型区和N型区之间的杂质是突变的。 ? 线性缓变结：以再分布为代表的一类，即表面浓度较 低的深扩散结，可以近似认为其杂质浓度是按某一固定 的浓度梯度，连续地由P型（或N型）转变为N型（或P型） 的PN结。;平衡PN结形成与能带;平衡PN结形成与能带;平衡PN结形成与能带;平衡PN结形成与能带;平衡PN结的3个主要特征： ? 通过平衡PN结的净电流为零。 ? 在空间电荷区，两