华中科技大学半导体物理习题及解答.docVIP

5-1 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 5-2 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 例 题 5-3 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 例 题 5-4 0 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 【解】 （1）平衡态时， p0 =10 cm = N 15 - A 3 2 10 2 n (1.5′ 10 ) - i 5 n0 2.25 10 cm = = = ′ 15 p 10 0 3 又因为非平衡载流子浓度 D x n x e p( ) = D ( ) =1017 - 2000x p( ) = D ( ) =1017 - 2000x 所以非平衡态时， p( = + 17 - 2000 x = 15 + 17 e- 2000 x) 0 10 e 10 10 p x n( = + 17 - 2000 x = ′ 5 + 17 e- 2000 x) n0 10 e 2.25 10 10 x PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 （2）x=0处 ( = + 17 = ′ - 15 10 1.01 1017 cm p 0) 10 3 n 0) 2.25 10 ( = ′ 5 +1 017 ? 1017 cm- 3 所以 n(0) p(0) = 0.99 （3）此时，Dn = Dp = 17 10 -3 cm p 0 = 15 - 10 cm 3 可见，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度还要大， Dn p Dp p 即不满足p型半导体的小注入条件“ 且 ” 0 0 因此，此时为大注入情况。 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 例 题 5-5 PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 【解】 首先根据爱因斯坦关系式，求得各区少子的扩散系数分别为 k T p = m = ′ = 0 2 n 区空穴： p q k T p 区电子： n = m = ′ = 0 0 2 D .026 500 13(cm /s) n q 进而可计算各区少子扩散长度分别为 n 区空穴： L t = D p p p = 1 - 6 ′ = ′ 3 ′ 10 4.7 2.2 10 - (cm) p 区电子： L t = D n n n = 1′ 10- 6 ′ 13 = 3.6′ 10 3 - (cm) 另一方面，各区少子浓度可分别计算为 n (1.5′ 10 ) 4 3 2 10 2 n 区空穴： n = ′ p = = 2.25 10 (1/ cm ) i 0 16 N 10 D n (1.5′ 10 ) 3 2 10 2 p 区电子：n p = i = = (1 cm ) 45 / 0 18 N 5′ 10 A PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建 所以 J s = q( n D p0 n L n + p D n0 p L p ) =1.6′ 45′ 13 2.25′ 10 ′ 4.7 4 10 + -19 ′ ( ) = 7.7′ - 3 - 3 3.6′ 10 2.2′ 10 10 -12 (A/cm 2 ) 再由电流—电压方程 J é ù ?qV ? = J exp? ÷- 1 ê ú ? ÷ s k T è ? ? ? 0 且 J = I A = 1 - 3 2 2 ′ 101 - 3 2 2 (A/cm ) = 0.1( A/cm 0.01 ) 得 V = k T J 0.1 0 ln( +1) = 0.026 ln( +1) = -12 q J 7.7′ 10 s 0.61(V) PDF文件使用 pdfFactory Pro试用版本创建