《半导体物理与器件》第5章制备技术.pptx

;2;? 1958年提出离子注入技术掺杂半导体，这种技术可以精确地控制掺杂原子 的数目，从此扩散和离子注入两种技术相辅相成实现不同的杂质掺杂。 ? 1960年提出平面工艺，在这项技术中，整个半导体表面先生长一层氧化层 ，再用图形曝光刻蚀工艺，将部分的氧化层移除，并留下一个窗口，然后 将杂质通过窗口掺杂到半导体形成PN结。 3;4;;主要内容;1. 晶体的生长与外延;晶体基本生长技术;? 以上步骤可形成冶金级的硅，纯度约为98%，将冶金级的硅粉碎并和氯化 氢反应，生成三氯硅烷SiHCl3： Si（固体）+3HCl（气体）→SiHCl3（气体）+H2（气体） ? 三氯硅烷在室温下为液态（沸点为30 ℃），可利用分馏法将液体中不要 的杂质去除，提纯后的三氯硅烷再与氢作还原反应生成电子级硅： SiHCl3（气体）+H2（气体）→Si（固体）+3HCl（气体）;? 该电子级的硅为超高纯度的多晶硅棒（即包含许多不同大小及方向的单晶 区域的硅材料），可作为制备器件级单晶硅的基本原料。 ? 为了使多晶硅变成高质量的器件级的单晶硅，需要把多晶硅放在单晶炉内 进行单晶硅制备。 ? 最基本的方法是提拉法，首先使用多晶硅熔融成为液态，然后将一块做过 精确定向的单晶硅（称籽晶）浸入熔融硅中，旋转籽晶并同时十分缓慢地 从熔融液中拉起，这样熔融硅在籽晶上按原晶向结晶，就拉出柱状单晶硅 棒。;下图为柴可拉斯基式拉晶仪的简示图。拉晶仪有3个主要部分： ①炉子，包含一个熔凝硅（SiO2）的坩埚、一个石墨基座、一个顺时针方向 （CW）旋转的机械装置、一个加热装置和一个电源供应器。 ②拉晶机械装置，包括籽晶夹持器和逆时针方向（CCW）旋转装置。 ③环境控制，包括气体的供应（如氩气）、流量控制和排气系统。;12;? 单晶硅锭可用金刚石刀来切成硅片，切割决定4个晶片参数：表面方向（如 111或100）、厚度（如0.5~0.7 mm）、倾斜度（从一端到另一端晶片厚 度的差异）和弯曲度（从晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。 ? 切割后的硅片经研磨、抛光等步骤，得到抛光硅片。 ? 以抛光硅片为衬底，在它的上面就可制造半导体器件或集成电路芯片了。 13;14;晶体外延生长技术;? 外延工艺和先前描述从融体中旋转提拉生长晶体的过程，不同之;17;18;关于正常的氢还原四氯化硅外延过程分成两个阶段： ? 一是氢和四氯化硅在衬底表面附近发生反应，生成游离态硅原子和HCl。 ? 二是HCl气体脱离硅表面随氢排出，而硅原子沉积在衬底表面。 ? 反应生成的游离态硅原子性质非常活泼，在高温下具有大量的热能，当它 落下与衬底表面的硅原子进行撞击时，将热能放出，并按照衬底晶面原子 排列的规律而依次排在表面，如下图所示。;? 下图中的上部表示气相反应，中间部分是沉积的外延层，下边部分是硅衬 底。 ? 总之，反应生成的游离态硅原子源源不断地沉积下来，规则地排列在衬底 表面形成外延层。 ? 另外，也有采用硅烷热分解生长外延层的方法，它是在高温下将硅烷热分 解生成硅原子淀积在衬底上，其分解反应如下： ?;;? 这种方法的生长原理与上述用氢还原四氯化硅相似。其优点是硅烷热分解 所需的温度较低，可以减小自掺杂效应和反扩散效应等，容易制备纯度高 、杂质分布陡的外延层，近年来得到了很多的应用。;2. 硅的CVD外延 ? 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过 程。 ? CVD膜的结构可以是单晶、多晶或非晶态，淀积单晶硅薄膜的CVD过程通常 被称为外延。 ? CVD技术具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、 台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 ? 常用的CVD方法主要有3种：常压化学气相淀积（APCVD）、低压化学气相 淀积（LPCVD）和等离子增强化学气相淀积（PECVD）。;CVD的机制主要包含数个步骤： ? ①反应物诸如气体和掺杂物质输送到衬底的区域。 ? ②它们被转移到衬底表面并且被吸收。 ? ③发生化学反应，在表面催化并伴随外延层的生长。 ? ④气相生成物被释放到主气体流中。;? 外延反应器如同晶体生长炉中的坩埚一样，不仅是晶片的机械支撑 ，而且在热感应反应器中当作反应所需热能的来源。 ? APCVD反应器的结构与氧化炉类似，如下图所示，该系统中的压 强约为1×105 Pa，因此被称为常压CVD，气相外延单晶硅所采用;;? LPCVD反应器的结构示意图如下图所示，石英管采用三温区管状炉加热 ，气体由一端引入，另一端抽出，半导体晶片垂直插在石英舟上，由于石 英管壁靠近炉管，温度很高，因此也称它为热壁CVD装置。 ? 这与采用射频加热的冷壁反应器（如卧式外延炉）不同，这种反应器的最 大特点就是薄膜厚度均匀