第05章微机的存储器教学提纲.pptVIP

微机的存储器;1.存储器按其与CPU的连接方式进行分类 两大类：内存（主存）和外存（辅存）;2、按存储介质分类： 半导体存储器； 磁泡存储器； 磁表面存储器 （如磁带，磁盘，磁鼓，磁卡等）； 磁芯存储器； 光盘存储器；; 一、半导体存储器的分类; 二、半导体存储器的组成;（一） 存储体 存储体是存储1或0信息的电路实体，它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为地址单元号。而每个存储单元由若干相同的位组成，每个位需要一个存储元件。 存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位数n与存储单元的数量N之间的关系为： 2 =N;;; 读/写电路包括读/写放大器、数据缓冲器（三态双向缓冲器）等。它是数据信息输入和输出的通道。 外界对存储器的控制信号有读信号（ＲＤ）、写信号（ＷＲ）和片选信号（ＣＳ）等，通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有效状态，存储器才能与外界交换信息。 ;一、静态随机存取存储器 （一）SRAM的基本存储电路 由６个ＭＯＳ管组成的ＲＳ触发器. ;（二）静态RAM的组成;1.读出过程 （1）地址码Ａ０－Ａ１１加到RAM芯片的地址输入端，经X与Y地址译码器译码，产生行选与列选信号，选中某一存储单元，该单元中存储的代码，经一定时间，出现在I／O电路的输入端。Ｉ／Ｏ电路对读出的信号进行放大、整形，送至输出缓冲寄存器。缓冲寄存器一般具有三态控制功能，没有开门信号，所存数据还不能送到DB上。;（四）静态RAM芯片举例 常用的Intel 6116 是CMOS静态RAM芯片，它的存储容量为2K×8位：; 动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息的; 写入操作时，写选择线上为高电平，Ｔ1导通。待写入的信息由写数据线通过Ｔ1加到Ｔ2管的栅极上，对栅极电容Cg充电。若写入１，则Cg上充有电荷；若写入０，则Cg上无电荷。写操作结束后，Ｔ1截止，信息被保存在电容Cg上。; 刷新;　２．单管动态基本存储电路 ;Intel 2116 16K×1;Intel 2116的内部结构如图5.11所示：; 动态RAM的刷新： ???态RAM的刷新实质式进行一次“写入”操作，但按行进行，即不管系统中有多少个DRAM芯片，也不管存储容量有多大，每次均对所有芯片的同一行刷新 单片DRAM有多少行，就分多少次进行刷新 一般刷新电路中都有刷新计数器，每刷新一行计数一次。 刷新电路必须保证2ms内对DARM刷新一次 刷新的方法有定时集中制、非同步再生制、同步再生制;一、只读存储器存储信息的原理和组成 ;　　ROM的组成由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电路等部分组成。图5.13是有16个存储单元、字长为1位的ROM示意图。;（一）不可编程掩模式MOS只读存储器 由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序，把0、1信息存储在掩模图形中而制成的ROM芯片。这种芯片制成以后，它的存储矩阵中每个MOS管所存储的信息0或1被固定下来，不能再改变，而只能读出。;（三）可擦除、可再编程的只读存储器 ;（四）闪速存储器（Flash Memory） E2PROM能够在线编程，可以自动写入，在使用方便性及写入速度两个方面都较EPROM进了一步。但是，其编程时间相对RAM而言还是较长，特别对大容量的芯片更显得突出。人们希望有一种写入速度类似于RAM，掉电后内容又不丢失的存储器。一种称为闪速存储器（Flash Memory，以下简称为Flash，闪存）的新型E2PROM由此被研制出来。 闪速存储器首先由Intel公司开发，它采用非挥发性存储技术，能够在线擦除和重写，掉电后信息可以保持10年。 Flash具有ROM非易失性的优点，又有很高的存取速度，既可读又可写，具有集成度高，价格低，耗电少等优点，因此得到广泛的使用。例如Pentium II以后的主板都采用了这种存储器存放BIOS程序。Flash的可擦可写特性，使BIOS程序可以及时升级。 ;（一）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位;（二）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示：;5.4 存储器的连接 要解决两个问题： 一个是如何用容量较小、字长较短的芯片，组成微机系统所需的存储器； 另一个是存储器与ＣＰＵ的连接方法与应注意的问题。;一、存储器芯片的扩