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III族氮化物量子點材料之模板控制式磊晶成長及光電元件應用 主持人：果尚志 教授 許榮宗 副主任 演講者：林弘偉 參與同學 吳忠霖 博士：量子點成長 沈昌宏：量子點成長 陳虹穎：量子點光學量測分析 李弘貿：量子點成長 林弘偉：量子點成長 連絡同學：林弘偉 電話: ext.3238, 0919258270 E-mail: d937313@oz.nthu.edu.tw 計畫目標 成長出發光具有偏極化性質之量子點 選擇有台階之基板 成長量子點 選擇適當成長參數 量測發光性質 利用此量子點製作發光元件 預定工作事項 找到適當的基板 在此基板上成長III族氮化物量子點 調整適合的成長參數 量測發光性質 發光元件製作 最近實驗結果 最近實驗結果 遇到困難及需求 台階排列整齊的基板 氮化後之表面是否依然保持台階的一致 量子點成長機制的確定 * * * MBE SYSTEM III-Nitride epilayer III-Nitride QDs Si(111) with miscut between 1 deg. and 4 deg. along (112) and (112). The most regular step arrays were obtained from samples cut 1.1 deg. towards (112) using a multi-step annealing sequence STM image of CaF2 dots Viernow et al., APL 74, 2125 (1999) Viernow et al., APL 72, 948 (1998) STM image of step arrays obtained on Si(111) 7x7 with a miscut of 1.1 deg. Towards (112) direction Bimodal Size and Shape Distribution of GaN Nanocrystals Base Boundary Area (nm2)= π(2d*)2 041028 041102 041103 041104 20 nm 20 nm 20 nm 20 nm Dots density ~1011 cm-2 SEM image of InN QDs *
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