3002大班文件XXXX级电子电路一讲稿新12.ppt

1.2.2.4 二极管的交流小信号模型 1.2.3 PN 结的反向击穿特性与高稳定性埋层齐纳稳压管 I zmin 为稳压管 D Z 的最小允许电流， I zmax 为最大允许电流， 输入电压 v I 在 V Imin ～ V Imax 变化时，要使 D Z 正常工作，则 限流电阻 R 必须满足下列关系： max max max Im L Z Z L Z ax R V I R V V R ? ? ? ① 在 V Imax 和 I lmin 时， I Z 应不超过最大允许电流 I zmax ： min min min Im L Z Z L Z in R V I R V V R ? ? ? ② 在 V Imin 和 I lmax 时， I Z 应不低于最小允许电流 I zmin ： 齐纳击穿与雪崩击穿 齐纳击穿： 掺杂浓度很高（例如 N D =N A =10 18 /cm 3 ）的 PN 结 很薄，例如宽度只有 0.04μm ，只要对 PN 结加上 不大的反向电压，就可以产生很强的电场，例如 反压 4V ，场强可达 10 6 V/cm 。强电场可强耗尽区 内原子共价键中的电子拉出，自由电子和空穴成 对产生，反向电流剧增。齐纳击穿电压较低（ <6V ） 雪崩击穿： 掺杂浓度较低的 PN 结较厚，在较大的反向电压时 形成漂移电流的少子在耗尽区内获得加速，动能 越来越大，在反向电压大到漂移少子的动能足以 撞击出耗尽区内原子的共价键电子，产生自由电子 和空穴，新生电子又撞击出其他自由电子，反向 电流剧增。雪崩击穿电压较高（ >6V) 埋层齐纳击穿稳压管： 齐纳管被掩埋在顶层硅晶体下面，噪声很小，温度稳定性很高 （ 5 ）最大允许功耗 max Z Z ZM I V P ? 稳压二极管的参数 : （ 1 ）稳定电压 V Z （ 2 ）电压温度系数 ? U （ %/℃ ） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （ 3 ）动态电阻 Z Z I V Z r ? ? ? （ 4 ）稳定电流 I Z 、 最大、最小稳定电流 I zmax 、 I zmin 。 1.2.4 PN 结的结电容特性与变容二极管 PN 结电容 C J 包括势垒电容 C T 和扩散电容 C D 即： C J =C T ＋ C D 1.2.4.1 势垒电容 C T D D T v Q dv dQ C Δ Δ ? ? 反偏电压变化引起耗尽区厚度变化，从而引起 PN 结中的电荷量变化，这种电容效应称为势垒电容。 式中： C T 表示势垒电容数值； Q 表示 PN 结的电荷量； v D 表示二极管的偏置电压 突变结 C T 与反偏电压的关系式： n D T T V v C C ) 1 ( ) 0 ( φ ? ? (n=0.5) 式中： C T (0) 表示 v D =0 时 的势垒电容。 V φ 表示接触电位差 1.2.4.2 扩散电容 C D PN 结正偏时，载流子在扩散过程中存在电荷积累， 正偏电压大，积累电荷多，反之积累电荷少，这种电容 效应称为扩散电容。 ) ( S D T D I I V C ? ? ? 式中： τ 表示非 平衡载流子的平 均寿命。 1.2.5 PN 结的温度特性 1. PN 结正向电压的温度系数 α v D 保持二极管正向电流不变，温度变化 1 ℃所引起的 v D 变化 α v D ≈ -(1.9 ～ 2.5)mV/ ℃ 2. PN 结的反向饱和电流随温度按指数规律变化 10 0 0 2 ) ( ) ( T T S S T I T I ? ? ? 不论是硅管还是锗管，反向电流大约随温度每变化 10 ℃ 而变化一倍。锗管的 IS （ T0 ）要比硅管大 3 ～ 6 个数量级 1.2.6 二极管的主要常数