晶体生长和二次再结晶.pptVIP

§9-4晶粒生长与二次再结晶 定义 晶粒生长一一材料热处理时,平均晶粒连续增大的过程 推动力:基质塑性变形所增加的能量提供了 使晶界移动和晶粒长大的足够能量 二次再结晶-(晶粒异常生长或晶粒不连续生长) 少数巨大晶体在细晶消耗时成核长大过程。 2、晶粒长大的几何情况: 晶界上有界面能作用,晶粒形成一个与肥皂泡沫相 似的三维阵列; ▲边界表面能相同,界面夹角呈120度夹角,晶粒呈 正六边形;实际表面能不同,晶界有一定曲率,表面张 力使晶界向曲率中心移动 ▲晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相,则阻 碍晶界移动。 图9-19多品坯体中晶粒增长示意图 晶粒长大定律:4D dt Kt st=0时,晶粒平均尺寸 讨论: (1)当晶粒生长后期(理论):DD→D=Kt 由log~logt作图,斜率 界面 (2)实际:直线斜率为12~1/3 通过 且更接近于1/3。 夹杂 原因:晶界移动时遇到杂质或 形状 气孔而限制了晶粒的生长。 3、晶界移动 (1)移动的七种方式 1一气孔靠晶格扩散迁移 1(晶界的移动方向 2一气孔靠表面扩散迁移 3一气孔靠气相传递 4一气孔靠晶格扩散聚合 5一气相靠晶界扩散聚合 6—单相晶界本征迁移 7一存在杂质牵制晶界移动 (2)气孔位于晶界上影响因素 晶界曲率; 移动? 气孔直径、数量 气孔作为空位源向晶界扩散的速度 阻碍? 气孔内气体压力大小; 包裹气孔的晶粒数 晶粒1 届粒2 移动后 品界 移动前 初期 中、后期 后期 移动后 (A)Vb=0 (B)V=V (C)VbV 晶界移动方向 气孔移动方向 晶界移动速度 对于烧结体 气孔移动速度。 致密化不利 气孔通过空位传递而汇集或消失。 实现烧结体的致密化。