TFT LCD阵列工艺介绍.ppt

1 TFT-LCD 阵列工艺介绍 2 主要内容 一、 TFT-LCD 的基本构造 二、 ARRAY 工艺简介 三、 阵列检查介绍 3 一、 TFT-LCD 的基本构造 TFT-LCD Module 电路部件 偏光板 图 1 TFT-LCD 液晶显示屏的构造 4 图 2 液晶盒的构造 一、 TFT-LCD 的基本构造 5 二、 ARRAY 工艺介绍 ? 2.1 阵列基板的构造和功能 ? 2.2 阵列基板的制造原理 ? 2.3 阵列基板的制造工艺流程 6 2.1 阵列基板的构造和功能 G S . Data Input a t e c a n 1 2 . . m 1 2 3 n . . . Data Line Gate Line Stg. Cap. LC TFT 图 3 ARRAY 基板等效电路图 7 Gate Driver Source Driver 图 4 Array 面板信号传输说明 2.1 阵列基板的构造和功能 8 2.1 阵列基板的构造和功能 图 5 ARRAY 基板的构造 DRAIN 端子 TFT 部分 栅极（ GATE ） 漏极（ DRAIN ） 源极（ SOURCE) 9 图 6 TFT 器件的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO 像素电极 GLASS 接触孔 G 工程 I 工 程 D 工程 C 工程 PI 工程 2.1 阵列基板的构造和功能 10 ? 当 Vg ≤ Vth 时 Ids=0 ? 当 Vg>Vth 且 Vds<Vg-Vth 时 Ids=(W/L)? μ C 0 {(Vg-Vth)Vds-Vds 2 /2} ? 当 Vg>Vth 且 Vds>Vg-Vth 时 Ids=(W/L)? μ C 0 (Vg-Vth) 2 /2 式中， Vth: 阈值电压 μ ：电子迁移率 C 0 : 单位面积栅绝缘层电容 Vg Vd Vs Ids 2.1 阵列基板的构造和功能 11 2.2 阵列基板的制造原理 ? ARRAY 工程由成膜工程、 PR 工程和刻蚀工程反复进行 4 次或 5 次完 成。 ? 4 次： 4MASK 工艺 5 次： 5MASK 工艺 图 7 TFT 的制造原理 成膜工程 （ＳＰ ｏｒ ＣＶＤ） ＰＲ 工程（涂布、曝光、 显 像） 刻 蚀 工程 （ＤＥ ｏｒ ＷＥ） ＰＲ 剥离 12 工艺名称 工艺目的 溅射（ SPUTTER) 成 Al 膜、 Cr 膜和 ITO 膜 P-CVD 成 a-Si 膜、 n + a-Si 膜和 SiNx 膜 PR ?曝光 形成光刻胶图案 湿刻（ WE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜 干刻（ DE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜 剥离 去掉残余的光刻胶 2.2 阵列基板的制造原理 表 1 阵列各工程的说明 13 图 8 初始放电和自续放电示意图 阳极（ + ） 阴极（ - ） E 电子 气体离子 气体分子 初期电子 ? 所谓 Sputter 是指利用 借助电场加速的气体离 子对靶材的轰击，从而 使成膜材料从靶材转移 到基板上的一种物理成 膜方法。 SPUTTER 原理 2.2 阵列基板的制造原理 14 PCVD 原理 MFC MFC MFC Dry pump 除害装置 gas flow gas box ①电子和反映气体分子碰撞，产生大 量的活性基； ②活性基被吸附在基板上，或取代基 板表面的 H 原子； ③被吸附的原子在自身动能和基板温 度的作用下，在基板表面迁移，选择 能量最低的点安定； ④同时，基板上的原子不断脱离周围 原子的束缚，进入等离子体气氛中， 所以达到动态的平衡； ⑤不断的补充原料气体，使原子沉积 速度大于原子逃逸速度，薄膜持续生 长。 2.2 阵列基板的制造原理 图 9 PCVD 成膜示意图 15 PR?曝光原理 Photoresist 膜 基板 Photolithography 工程 ① Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ涂布 ② 曝光 ③ 显 影 2