9金半接触和半导体异质结 精选文档.ppt

第 9 章金属半导体和半导体异质结 2019 年 11 月 金属半导体和半导体异质结 ? 9 ． 1 肖特基势垒二极管 ? 9 ． 2 金属．半导体的欧姆接触 ? 9 ． 3 异质结 ? 9 ． 4 小结 2 概念 ：同质结、异质结、金半结、欧姆接触 ? 同质结：同材料 PN 结 ? 异质结：不同材料 PN 结 ? 金半结：金属与半导体接触（肖特基势垒二极管） ? 欧姆接触：没有整流效应的接触 ? 功函数：电子溢出表面吸收的最小能量。 ? ? 0 m F m e E E ? ? ? 金属的功函数： ? ? 0 s F s e E E ? ? ? 半导体的功函数： ? ? 0 c c F s E E E E ? ? ? ? ? ? c F n s E E ? ?? ? ? ?? ? ?? ? ? 电子亲和能 3 9.1 肖特基势垒二极管 4 9.1 肖特基势垒二极管 肖特基势垒： 内建电势差： 5 9.1 肖特基势垒二极管 正反偏 突变结 近似 6 9.1 肖特基势垒二极管 非理想因素 1. 肖特基效应：势垒的镜像力降低 2. 界面态的影响 7 9.1 肖特基势垒二极管 非理想因素 肖特基效应： 势垒的镜像 力降低 8 9.1 肖特基势垒二极管 非理想因素 ? 与理想不符 χ =4.07eV χ =4.01eV 9 9.1 肖特基势垒二极管 非理想因素 界面态的 影响 施主型 表面态：能 级释放电子后显正 电性。 受主型 表面态：能 级接受电子后显负 电性。 10 ? 与 pn 结不同，主要 靠多数载流子的运 动来决定电流的情 况。 ? 热电子发射理论： 势垒高度远大于 kT 时，电流的计算 可以归纳为计算超 越势垒的载流子数 目。 9.1 肖特基势垒二极管 电流电压关系 11 9.1 肖特基势垒二极管 电流电压关系 ? ? ? ? c F d n gE f E d E ? ? ? 3 2 * 3 4 2 - e x p n F c m EE E E d E h k T ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 半导体内单位体积中能量在 E~E+dE 范围内的电子数为： * 2 1 2 c n E E m v ? ? ? ? b i a e V V ? ? c s m E J e vdn ? ? ? ? ? ? c b i a c E Ee VV E ? ? ? ? 有效理查 德森常数 12 9.1 肖特基势垒二极管 电流电压关系 反向电流随反偏电压的 增加而增加是由于势垒降低 的影响。 0 B n B ? ? ? ? ? ? * 2 0 e x p e x p B s T e e J A T k T k T ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 13 9.1 肖特基势垒二极管 与 PN 结比较 ? 区别１．反向饱和电流的数量级 肖特基势垒二极管的反向饱和电流密度： 理想 pn 结二极管的反向饱和电流密度： 1 、电流输运机构不同。 2 、反向电流输运机构不同密度不同。 pn 结二极管的反 偏电流主要由产生电流支配， ~10 -7 A/cm 2 ，比肖特基 二极管小 2~3 个数量级。 14 9.1 肖特基势垒二极管 与 PN 结比较 ? 0.3V ? 0.7V 15 9.1 肖特基势垒二极管 与 PN 结比较 ? 区别２ 开关特性 pn 结二极管靠少子扩散运 动形成电流，外加正偏 电压时少子首先形成一 定的积累，再靠扩散运 动形成电流。 肖特基二极管的电流取决 于多子通过内建电势的 发射电流。外加正偏电 压时直接形成漂移电流 流走。 16 9.2 欧姆接触 欧姆接触是接触电阻很低的结，理想 状态下，欧姆接触所形成的电流是电压的 线性函数。 两种欧姆接触： 1. 使表面不产生势垒的接触 2. 隧道效应 17 9.2 欧姆接触 ? 使表面不产生势垒的接触 使 N 型半导体表面更 N ，不上坡，下坡 18 9.2 欧姆接触 19 9.2 欧姆接触 ? 金属与 p 型半导体非整流接触的理想情况 使 p 型半导体表面更 p 20 9.2 欧姆接触 ? 前述没有考虑界面态的影响．实际由于界面态的影 响，很难很好的形成