西电集成电路制造技术第二章 氧化教学提纲.ppt

西电集成电路制造技术第二章 氧化教学提纲.ppt

  1. 1、本文档共77页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第二章 氧 化主 讲:毛;无标题;第二章 氧化SiO2作用:a;掺杂阻挡氧化层 氧化层应用;栅氧化物介电层 氧化层应用;氧化层应用场氧化层;氧化层应用金属层间的隔离阻挡层;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用2;2.2 SiO2的掩蔽作用2;2.2 SiO2的掩蔽作用2;2.2 SiO2的掩蔽作用2;2.2 SiO2的掩蔽作用设;2.2 SiO2的掩蔽作用2;无标题;例:SiO2掩蔽P扩散 ;2.3 硅的热氧化生长动力学;2.3.1 硅的热氧化热氧化;2.3.1 硅的热氧化SiS;2.水汽氧化:高温下,硅片与高;2.3.1 硅的热氧化(2);2.3.1 硅的热氧化特点:;2.3.1 硅的热氧化4.掺;2.3.1 硅的热氧化;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学2;2.3.2 热氧化生长动力学流;根据稳态条件F1=F2=F3可;热氧化生长速率—氧化层厚度与氧;2.3.2 热氧化生长动力学两;无标题;无标题;练习: 计算在1;2.3.2 热氧化生长动力学3;2.4 影响氧化速率的因素2.;2.4 影响氧化速率的因素 ;2.4 影响氧化速率的因素 ;2.4 影响氧化速率的因素 ;无标题;2.4 影响氧化速率的因素 ;无标题;2.4 影响氧化速率的因素 ;2.4 影响氧化速率的因素 ;2.4.2 影响氧化速率的其;无标题;2.5 热氧化的杂质再分布2;无标题;2.5 热氧化的杂质再分布2;2.5 热氧化的杂质再分布2;无标题;2.6 薄氧化层D-G模型对;无标题;2.6 薄氧化层2.6.2 ;2.6 薄氧化层2.改进氧化;2.6 薄氧化层4. CVD;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;无标题;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.7 Si-SiO2界面特;2.8 氧化系统;2.8 氧化系统;2.8 氧化系统;2.8 氧化系统2.8.1 ;2.8 氧化系统2.8.2 ;加热器1加热器2加热器3压力控

文档评论(0)

137****6572 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档