适配器和充电器应用中的氮化镓技术.PDF

白皮书 11-2018 适配器和充电器应用中的氮化镓技术 GaN 之于未来电力电子需求的意义 简介 本文将讨论增强型GaN HEMT 在低功率应用（如USB-PD 适配器和移动设备充电器）中的优势。本文将 定量地展示，与仅次于GaN 的硅替代品相比，使用GaN 器件构建的系统的优势。还将提供相应拓扑结 构、磁性器件优化和开关频率选择的进一步详细信息，以更好地充分利用下一代功率器件。 作者 Gerald Deboy，英飞凌科技股份公司功率半导体和系统工程高级主管 Matthias Kasper，英飞凌科技股份公司应用工程高级专家 Alfredo Medina Garcia ，英飞凌科技股份公司高级工程师 Manfred Schlenk，英飞凌科技股份公司电源系统高级主管 /gan 请阅读本文档结尾处的重要提醒和警告 v1.0 适配器和充电器应用中的氮化镓技术 GaN 之于未来电力电子需求的意义 目录 1 简介 3 2 器件原理及概念 4 3 应用实例：宽电压输入手机充电器 7 3.1 非对称反激拓扑结构 7 3.2 运行方式 9 4 总结 12 参考资料 13 /gan 2 11-2018 适配器和充电器应用中的氮化镓技术 GaN 之于未来电力电子需求的意义 1 简介 宽带隙功率半导体的商业可用性及其明显更好的品质因数对许多客户提出了一些基本问题 ：基于这些宽带 隙器件的系统解决方案在功率密度和效率方面有多好？基于硅的解决方案在多大程度上可能会使用更复杂 的拓扑结构和控制技术去实现同样的性能？ 本文试图为两个应用领域，即适配器和紧凑型充电器提供这些问题的答案。 作为横向功率器件的GaN HEMT 与其相应的硅器件相比具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷。结合几 乎为零的反向恢复电荷，它可以实现反向导通器件的硬换向。因此，GaN 支持更简单的拓扑结构以及优化 的控制方法在软开关和（部分）硬开关之间无缝切换。尽管低压和中压等级的硅基功率器件的硬换向是可 以接受的，但对于技术突出的600V 超级结器件，可防止由于损耗和电压过冲而导致的任何此类操作。AC- DC 应用的设计者有三种选择为使用宽带隙器件做下一个最佳替代方案：单端拓扑结构，例如升压转换器 作为功率因数校正级，在图腾柱PFC 中通过相应的控制方法（如三角电流模式(TCM)操作）严格避免硬换 向，或使用输入串联转换器架构，其中电压应力分布到几个串联连接的转换器级上。 虽然单端拓扑结构可能不符合效率目标，但双升压等替代解决方案可能无法满足空间或成本目标。尽管输 入串联解决方案已证明其能够达到效率和密度目标[1]，但控制方法仍然具有挑战性，并且可能仅限于将此 概念用于高功率部分。 当试图克服65W 适配器的20W/in³密度目标时，紧凑型充电器的设计选择明显缩小。在大多数或所有操作 条件下需要回收漏电感中的能量并提供零电压开关，排除了许多单端拓扑结构选择。 本文探讨了GaN HEMT 与仅次之的硅替代品相比的价值。 /gan 3