晶体硅太阳能电池生产工艺流程图.pdf

晶体硅太阳能电池生产工艺流程图 电池片工艺流程说明： (1) 清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表 面机械损伤层， 并进行硅片表面织构化， 形成金字塔结构的绒面从而 减少光反射。 现在常用的硅片的厚度在 180 μm 左右。去除硅片表面 损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。 (2) 甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。 (3) 扩散、刻蚀：多数厂家都选用 P型硅片来制作太阳能电池，一 3 般用 POCl液态源作为扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散 炉 , 进行磷扩散形成 P-N结。扩散的最高温度可达到 850- 900℃。这种 方法制出的 PN结均匀性好， 方块电阻的不均匀性小于 10％，少子寿命 大于 10 微秒。扩散过程遵从如下反应式： 3 2 2 5 2 2 5 2 4POCl ＋3O （过量）→2P O ＋2Cl （气）2P O＋5Si → 5SiO + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩 2- 2 6 散生成的副产物。 SiO 与HF生成可溶于水的 SiF ，从而使硅表面的 2 5 2 磷硅玻璃（掺 PO 的SiO ） 溶解，化学反应为： 2 2 6 2 SiO ＋6HF → H （SiF ）＋2H O (4) 减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 技术在电池表面沉 积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备 SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表 面钝化和体钝化的效果。 这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而 言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。由于表面钝化和 体钝化作用明显， 就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。 由于增 强了对光的吸收， 氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作 用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。 (5) 印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两 面制作电极。正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过 率，另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。 背面做成 BSF结构，以减小表面电子复合，印刷后要进行高温烧结。 (6) 检测分选：为了保证产品质量的一致性，通常要对每个电池片 测试，并按电流和功率大小进行分类，也可根据电池效率进行分级。 (7) 包装入库：将分选好的电池片一部分可以进行包装，入库，准备 外卖；其他的准备进入电池组件生产工序待用。 晶体硅太阳能电池组件流程图 电池分选 电池片焊接 电池串焊接 玻璃清洗 TPT 、EVA 裁切 电池板铺设 待压组件初测 层压 裁边 逆电流测试