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ICS 71.040.99 N53 中华人民共和国国家标准 GB/T 20724—XXXX 微束分析 薄晶体厚度的会聚束电子衍射 测定方法 Microbeam analysis Method of thickness measurement for thin crystal by convergent beam electron diffraction （征求意见稿） （本稿完成日期：2020 年6 月26 日） XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX 实施 GB/T —XXXX 目 次 前言 2 引言 3 1. 范围 4 2. 规范性引用文件 4 3. 术语和定义 4 4. 符号和缩略语 6 5. 方法概述 7 6. 仪器设备 8 7. 试样 8 8. 实验步骤 8 9. 厚度与消光距离的计算 11 10. 测定结果的不确定度 ………………………………………………………………………………….12 附录A (规范性)实验分析报告格式 13 附录B （资料性）单晶Si 局域厚度的CBED 测定示例 15 参考文献 19 1 GB/T —XXXX 前 言 本文件按照GB/T1.1-2020 《标准化工作导则第一部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下： —— GB/T 18907-2012/ ISO 25498:2010 微束分析分析 电子显微术 透射电镜选区电子衍射分析 方法 本标准是第一次修定。 本标准自实施之日起代替并同时废止GB/T 20724—2006 本标准与GB/T 20724—2006相比主要变化如下： ——标准名称增加了引导元素“微束分析”； ——增加了引言； ——增加了规范性引用文件； ——补充修订了术语和定义； ——增加了符号和缩略语； ——仪器设备和分析方法中增加了扫描透射电子显微镜（STEM）方法； ——把分析方法修改为几个步骤，规范了电子衍射花样指数标定的方法并增加示例；规范了获得双 束会聚束电子衍射花样的方法； ——重新计算并作出求晶体厚度和消光距离的示例图； ——增加了分析的不确定度分析； ——把原来第9章实验分析报告格式改为规范性附录A; ——增加了资料性附录B：单晶Si局域厚度的CBED实验测定示例。 ——增加了参考文献； 本文件由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC38）提出。 本文件由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC38）归口。 本文件起草单位:北京科技大学、中国航发北京航空材料研究院 本文件主要起草人：柳得橹、娄艳芝 2 GB/T —XXXX 引 言 大量新材料的研制开发以及性能特征评估和控制