集成电路制造技术扩散.ppt

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2020-07-02 发布于福建
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微电子工艺第5章扩散第5章扩散杂质掺杂掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质, 形成PN结、电阻、欧姆接触 ≤磷(P)、砷(As)——N型硅 ≤硼(B)——P型硅掺杂工艺:扩散、离子注入第5章扩散心扩散是微电子工艺中最基本的工艺之是在约1000℃的高温、p型或n烈杂质气氛中,使杂质向衬底磕片的确定区域内扩散, 达到一定浓度,实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法,也称为热扩散。心目的是通过定域、定量扩敢掺条改变半导体导电类型,电阻率,或形成PN结。 Doped Region in a Silicon Wafer Dopant gas p* Silicon substrate 内率题要 ÷5.1扩散机构 ÷52晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 ÷53杂质的扩散掺杂 54热扩散工艺中影响杂质分布的其它因素 ÷55扩散工艺条件与方法 ÷5.6扩散工艺质量与检测 ÷57扩散工艺的发展