模拟电子技术 叶文霞 ch4-1 BJT.ppt

4.双极结型三极管及放大电路基础 §4.1 双极结型三极管(BJT) 1. BJT的结构与类型 2. BJT电流分配与控制 放大状态下BJT中载流子的传输过程 放大状态下BJT的电流分配关系 放大状态下BJT的电流分配关系 (续) BJT在放大状态下的电流关系 放大状态下NPN型/PNP型BJT的偏置与电流方向 练 习 BJT的四种工作状态 BJT放大电路的连接方式 放大电路三种组态电路例子 符号约定 3. BJT的V-I特性曲线 共射电路的输入特性曲线 iB =f (vBE)| vCE = 常数 共射电路的输出特性曲线 iC =f (vCE)| iB = 常数 输出特性曲线的三个区域 练 习 例 1 练 习 4. BJT主要参数 BJT主要参数(续) BJT主要参数(续) BJT主要参数(续) BJT主要参数(续) BJT的型号 BJT小结 * 双极结型三极管 共射极放大电路 放大电路的分析方法 放大电路静态工作点稳定问题 共集电极和共基极放大电路 多级放大电路 放大电路的频率响应 BJT结构与类型 BJT主要参数 BJT的V-I特性曲线 BJT电流分配与控制 双极结型三极管（Bipolar Junction Transistor）简称BJT，其工作时自由电子和空穴都参与导电，也称为半导体三极管或晶体三极管。 根据结构不同，BJT分为两种: NPN型 和 PNP型 BJT按频率、功率、材料、结构等分为多种类型. 三极管的结构特点: 发射区的掺杂浓度比集电区掺杂浓度高，而集电区面积大; 基区很薄且掺杂浓度低。 （符号中发射极的箭头代表 发射极电流的正向流向） 符号： - 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 NPN型 N N P - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 PNP型 e c b 发射极 集电极 基极 (base) (emitter) (collector) 可以通过对BJT的发射结和集电结加不同的偏置电压来产生不同的工作状态。 工作在放大状态时的偏置要求： 发射结正偏，集电结反偏 例： 一种NPN型BJT放大电路的直流偏置电路 + – VBE + – VCB 三个极的电流情况如何呢? (2) 发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且杂质浓度低，所以IBN较小。 (3) 集电结反偏，基区中扩散到集电结边缘的电子在内电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成ICN。同时基区和集电区少子漂移形成反向饱和电流 ICBO ，IC = ICN + ICBO。 (1) 在VBE作用下，发射区向基区扩散电子(形成IEN)，，同时基区空穴也扩散到发射区(形成IEP) ，合成为发射极电流IE，IE = IEN + IEP ? IEN 。 发射区向基区注入电子 电子在基区中扩散与复合 集电区收集电子 IBN 发射结 集电结 IE = IC+IB 其中IES为发射结反向饱和电流 IBN 则： 通常ICBO很小可忽略，则： ICEO很小可忽略，则： IE=IB+ IC 令： 则： 穿透电流 ?、 ? 为直流电流放大系数。它们只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99， ? >>1 。 交流电流放大系数 注意： IE = IC + IB IC = ?IB IE = (1 + ? ) IB 一定要记住！ NPN 型 BJT在放大状态时三个极上的电位关系: NPN 型: (硅管) PNP 型: (硅管) PNP型 1. 测得放大电路中两只BJT管两个电极的电流如下图所示。判断 B , C, E 三个电极, 求另一电极的电流，标出其实际方向；判断管子的类型，求它们的电流放大系数β。 2. 测得放大电路中两只晶体管的直流电位如图所示,判断 B , C, E 三个电极, 并在圆圈中画出管子 。 BJT集电结和发射结外加不同偏置电压时共有四种工作状态 工作状态 发射结 集电结 正 偏 反 偏 正 偏 正 偏 反 偏 反 偏 反 偏 正 偏 放 大 饱 和 截 止 倒 置 （思考：饱和、截止和倒置时三个极的电流情况是怎样的？） 共集电极：集电极作为公共电极，用 CC 表示; 共 基 极 ：基极作为公共电极，用 CB 表示。 共发射极：发射极作为公共电极，用 CE 表示； 三种连接方式（称为放大电路组态）：三个电极中,一个接输入信号,一个作输出，第三个作为公共端。 BJT放大电路的三种组态示意图 + - +