赢取满分策略3.docVIP

赢取满分策略③——“情境示意，一目了然” [满 分 策 略] 认真阅读题目、分析题意、搞清题述物理状态及过程，并用简图(示意图、运动轨迹图、受力分析图、等效图等)将这些状态及过程表示出来，以展示题述物理情境、物理模型，使物理过程更为直观、物理特征更加明显，进而快速简便解题。 【模拟示例】 (2017·合肥二模)如图8所示，直线y＝x与y轴之间有垂直于xOy平面向外的匀强磁场B1，直线x＝d与y＝x间有沿y轴负方向的匀强电场，电场强度E＝1.0×104 V/m，另有一半径R＝1.0 m 的圆形匀强磁场区域，磁感应强度B2＝0.20 T，方向垂直坐标平面向外，该圆与直线x＝d和x轴均相切，且与x轴相切于S点。一带负电的粒子从S点沿y轴的正方向以速度v0进入圆形磁场区域，经过一段时间进入磁场区域B1，且第一次进入磁场B1时的速度方向与直线y＝x垂直。粒子速度大小v0＝1.0×105 m/s，粒子的比荷为eq \f(q,m)＝5.0×105 C/kg，粒子重力不计。求： 图8 (1)坐标d的值； (2)要使粒子无法运动到x轴的负半轴，则磁感应强度B1应满足的条件。 满分指导　“抽象思维”eq \o(――→,\s\up7(转化为))“形象思维” (1)“一带负电的粒子从S点沿y轴进入圆形磁场区域” 在磁场B2中，由qB2v0＝eq \f(mveq \o\al(2,0),r)，得r＝1 m＝R (2)“经过……且第一次进入磁场B1时速度方向与直线y＝x垂直” 由(1)可知粒子进入电场做“类平抛运动” (3)“要使粒子无法运动到x轴的负半轴” 规范解答　(1)带电粒子在匀强磁场B2中运动， 由牛顿第二定律得qB2v0＝eq \f(mveq \o\al(2,0),r)， 解得r＝1 m＝R 粒子进入匀强电场以后，做类平抛运动，设水平方向的位移为x1，竖直方向的位移为y1，则 水平方向：x1＝v0t2 竖直方向：y1＝eq \f(1,2)ateq \o\al(2,2)＝eq \f(vy,2)t2 其中：a＝eq \f(qE,m)，联立解得x1＝2 m，y1＝1 m 带电粒子运动轨迹如图所示： 由几何关系得d＝R＋y1＋x1＝4 m。 (2)①设当匀强磁场磁感应强度为B3时，粒子从电场垂直边界进入匀强磁场后，轨迹与y轴相切，粒子将无法运动到x轴负半轴，此时粒子在磁场中运动半径为r1，运动轨迹如图所示： 由几何关系得r1＋eq \r(2)r1＝eq \r(2)d－eq \r(2)x1 解得r1＝(4－2eq \r(2)) m 由牛顿第二定律得qB3·eq \r(2)v0＝eq \f(m（\r(2)v0）2,r1) 解得B3＝0.24 T。 ②设当匀强磁场磁感应强度为B4时，粒子垂直打在y轴上，粒子将无法运动到x轴负半轴，粒子在磁场中运动半径为r2，由如图所示几何关系得r2＝eq \r(2)d－eq \r(2)x1＝2eq \r(2) m 由牛顿第二定律得qB4·eq \r(2)v0＝eq \f(m（\r(2)v0）2,r2) 解得B4＝0.11 T 综上所述，要使粒子无法运动到x轴的负半轴，则磁感应强度B1应满足的条件是0<B1≤0.11 T或B1≥0.24 T。 答案　(1)4 m　(2)0<B1≤0.11 T或B1≥0.24 T 课时跟踪训练 一、选择题(1～3题为单项选择题，4～5题为多项选择题) 1.(高考改编)如图1所示，质子由静止开始经一加速电场加速后，垂直于复合场的界面进入并沿直线穿过场区，质子(不计重力)穿过复合场区所用时间为t，从复合场区穿出时的动能为Ek，则 (　　) 图1 A.若撤去磁场B，质子穿过场区时间大于t B.若撒去电场E，质子穿过场区时间大于t C.若撒去磁场B，质子穿出场区时动能大于Ek D.若撤去电场E，质子穿出场区时动能大于Ek 解析　质子进入复合场沿直线运动，则质子受到的电场力和洛伦兹力大小相等、方向相反，即eE＝Bev0，若撤去磁场B，质子在电场中做类平抛运动，由类平抛运动特点可知，穿过电场的时间t＝eq \f(x,v0)，因场区宽度x不变，则时间不变，质子竖直方向做初速度为0的匀加速直线运动，出电场时的速度必大于v0，动能大于Ek，则A错误，C正确；若撤去电场E，则质子在磁场中做匀速圆周运动，则B、D错误。 答案　C 2.(2017·湖南十校共同体三联)1922年英国物理学家阿斯顿因质谱仪的发明、同位素和质谱仪的研究荣获了诺贝尔化学奖。若一束粒子由左端射入质谱仪后的运动轨迹如图2所示，则下列说法中正确的是(　　) 图2 A.该束带电粒子带负电 B.速度选择器的P1极板带负电 C.在B2磁场中运动半径越大的粒子，质量越大 D.在B2磁场中运动半径越大的粒子，比荷eq \f(q,m)越小 解析　通过粒子在质